Zusammenfassung 
prä- Es werden zwei Verfahren zur Kontrastierung bei der Abbildung von ebe- 
n nen Oberflächen im Rasterelektronenmikroskop vorgestellt. Eine Methode 
nt- nützt eine Steigerung des Ordnungszahlunterschieds der quantitativ 
metallographisch zu vermessenden Phasen durch selektive Aufbringung 
nta- chemischer Schichten aus. Dadurch entsteht auch bei Phasen niedrigen 
hst Ordnungszahlunterschieds im Rückstreuelektronenbild ein ausreichender 
ohen Kontrast. Bei sehr feinen Gefügen, bei denen das Auflösungsvermögen 
pha- der Rickstreuelektronen nicht mehr ausreicht, werden die niederener- 
‚em getischen Sekundärelektronen zur Abbildung verwendet. Hierbei wird 
‚ch eine unterschiedliche Mikrorauhigkeit verschiedener Phasen bei frisch 
Auf polierten Proben zur Kontrastentstehung genutzt. Mit den beschriebenen 
M Methoden lassen sich sehr feine Gefligeteilchen durch quantitative Mes- 
sungen erfassen, die ansonsten wegen schlechter Kontrast- und Auflo- 
nn sungseigenschaften unberücksichtigt bleiben mußten. 
wer- 
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