ihrer Harte und Zähigkeit zu optimieren und mit den geeigneten verschleißhemmenden Der | 
Hartstoffen zu versehen (Abb.22) /26/. PVD-' 
Herstellungsbedingte Rißbildungen in den Panzerungen beeinträchtigen ihre Gebrauchs- fen, 
gigenschaften solange nur unwesentlich, wie sie nicht entlang der Fligegrenze ver- noch 
laufen und zum Abplatzen der Schicht führen (Abb.23). re Ii 
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Abb. 22: Hartauftragsschweißung Abb. 23: Hartauftrag mit Spannungsriß 
A. Cr-Carbid entlang der Fiigegrenze 
B. Nb-Carbid Abb. 
C. Mo-Cr-W-Carbid Schne 
4.6. Aus der Gasphase abgeschiedene Schichten fest; 
Absct 
Als Verfahren, Schichten aus der Gasphase abzuscheiden, haben in jüngster Zeit die TiN-F 
CVD- und PVD-Methoden ein auRerordentliches Interesse gefunden. Bei diesen Verfah- 
ren erfolgt die Schichtbildung durch Abscheidung auf Werkstoffoberfldachen nach Gas- 
reaktionen bzw. durch Aufsputtern oder Aufdampfen. Beide Verfahren wurden schon seit 
einiger Zeit als Dinnschichttechnologien (« 1,um) in der elektronischen und opti- 
schen Industrie eingesetzt und haben erst in den letzten Jahren als Verfahren fir 
dickere Schichten (1 - 10 jum) auf dem VerschleiBsektor Eingang gefunden /27 - 30/. 
Bei CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) erfolgt die Schichtabscheidung durch 
Gasreaktionen, denen durch ein Gasplasma, Strahlung oder Warme Energie zugefiihrt 
wird. Als gasformige Stoffe werden fiir die Erzeugung von verschleiRfesten Schich- 
ten Metallhalogenide mit Kohlenwasserstoffen oder stickstoffhaltigen Verbindungen 
zur Reaktion gebracht. Die Temperaturen, denen auch der zu beschichtende Körper aus- 
gesetzt ist, liegen bei 800-1200°C. 
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