EINFLUSSFAKTOREN AUF DIE MORPHOLOGIE VON AUFGEDAMPFTEN PbTe-HALB- 
LEITERSCHICHTEN 
H. Clemens, W. Ruhs, H. Gahm® 
Institut fiir Physik, Montanuniversitat Leoben 
FInstitut fiir Metallkunde und Werkstoffprifung, Montanuniversitdt Ba 
Leoben 
ABSTRACT Spc 
The production of infrared lasers and infrared detectors requires Abb 
single crystalline high quality PbTe layers. Homogeneous single 
crystalline films are a prerequisite for reasonable semiconducting 
properties. Sub 
PbTe thin films were prepared by vapor phase epitaxy on single 
crystalline BaF, substrates. The influence of the growth conditions Sub: 
on epitaxy was studied and the dependance of the morphology on growth Wall F 
parameters investigated. pe 
EINLEITUNG 
Zur Herstellung von Infrarot-Laser und Infrarot-Detektoren werden Radi 
diinne PbTe-Halbleiterschichten mit geringer Konzentration von Gitter- Shiel 
baufehlern (hohe kristalline Qualität) benötigt! ?, 
Das größte Interesse liegt in der Erzeugung von homogenen, ein- 
kristallinen Schichten, da diese die besten elektrischen Eigenschaften 
aufweisen. 
PbTe-Schichten wurden aus der Gasphase unter verschiedenen Aufwachs- i 
bedingungen epitaktisch auf einkristalline BaF ,-Substrate abgeschieden Abb 
und die Abhängigkeit der Morphologie von den Aufwachsparametern unter- 
sucht. Stü 
von 
HERSTELLUNG DER SCHICHTEN Die 
Die BaF,-Substrate werden durch Spalten eines BaF,-Einkristalles in im € 
der (111)-Ebene hergestellt, Abb. 1. ranc 
Die Zahl der dabei eingebrachten Spaltstufen hänat von der Kristall- ober 
qualität des BaF ,~Einkristalles ab. Um die Verunreinigung der Substrat- des 
oberfläche durch die Laboratmosphäre möglichst gering zu halten, wurden In ¢ 
die Substrate sofort nach dem Spaltvorgang in den UHV-Rezipienten der dies 
261