ra durch die mittlere Verweildauer des Einzelatoms beschrieben. Die Ver-
was weildauer ist von der Sprungfrequenz, der Temperatur und der Adsorp-
> tionsenergie abhängig.
Wenn die Einzelatome miteinander eine Bindung eingehen kann es zur
Bildung von metastabilen Clustern kommen, die beim Erreichen einer
kritischen Größe als Keim für das weitere Wachstum wirken. Nach Unter-
suchungen von METOIS et aL.’ können Keime - um eine optimale Gitter-
anpassung zu erreichen - durch Translations- und Rotationsbewegungen
über die Oberfläche wandern. Alle anceführten Keimbildungsprozesse
sind nur auf ein ideales Substrat anzuwenden, d.h. an allen Punkten
der Oberfläche liegen dieselben energetischen Verhältnisse vor.
Wie zahlreiche Untersuchungen zeigten, tritt die Keimbildung aber
bevorzugt an Defekten’’ 8" %der Substratoberfldche auf, wie z.B. an
Spaltstufen oder an aus dem Substrat herausgewachsenen Schraubenver-
hs- setzungen.
er Das Wachstum dieser dünnen Filme kann mit Hilfe verschiedener Wachs-
tumsmodelle dargestellt werden, Abb. 5.
ften
LS LC AF
zZ BA
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S- , 13
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an Insel-Wachstum Insel-Wachstum Schichten-Wachstum Senkrechtes Haften
auf vorherigem
wf, Schichten-Wachstum
1m
ler Abb. 5: Wachstumsmodelle
3as-
ler Das Inselwachstum Abb. 5a (Volmer-Weber-Wachstum) tritt dann auf,
7igen wenn die kondensierende Materie an sich selbst stärker haftet als am
iber Substrat. Dies ist zum Beispiel fiir Metalle auf Isolatoren der Fall.
> ist, Ein Inselwachstum nach vorangecangenem Schichten-Wachstum, Abb. 5b,
(Stranski-Krastanov-Wachstum) ist dann möglich, wenn die Schichten
die Erinnerung an das Substrat verlieren und die Eigenschaften der
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