kondensierenden Substanz annehmen. Lat
Reines Schichtenwachstum, Abb. 5c, (Frank-van-de-llerwe-Wachstum) ist tor
zu erwarten, wenn die Bindungsenergie zwischen Material und Substrat möc
sehr groß ist im Verhältnis zur Bindungsenergie der Gasteilchen unter- Ste
einander. Im Fall der Homeoepitaxie,wenn Substrat und aufwachsendes Die
Material gleich sind, wird dieses Wachstum häufig beobachtet. auf
Der Fall des senkrechten Haftens wird nur dann auftreten, wenn be- die
dingt durch eine zu geringe Substrattemperatur die Oberfldchen- Ver
diffusion verhindert wird. Lic
Pb1
MORPHOLOGIE DER PbTe-SCHICHTEN die
Um den EinfluBf der Substrattemperatur auf die Ausbildung der PbTe- p
0)
Schicht festzustellen, wurden die bei unterschiedlichen Substrat-
temperaturen aufgewachsenen Schichten im Rasterelektronenmikroskop Die
(REM) und mit ROntgenfeinstrukturverfahren untersucht. Abk
Zur Bestimmung der Orientierung und der kristallinen Qualität der sel
PbTe-Schichten wurden Laue-Aufnahmen im Rückstrahlbereich und sc}
Röntgen-Diffraktometer-Aufnahmen herangezogen. Die beiden zur Fein-
strukturuntersuchung verwendeten Beugungsverfahren haben den Vor-
teil, daß sie rasch durchzuführen sind und damit zur laufenden
Qualitätskontrolle der hergestellten Schichten verwendet werden können.
Teilweise konnte bei polykristallinen Proben auf eine Überpüfung durch
. Mo-Ke
BaF; (888) PbTe (888)
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Abb. 6: Laue-Aufnahme, Abb. 7: Diffraktometer-Aufnahme eines So
Beugungsreflexe für eine (888)-PbTe-Reflexes und eines (888)- kar
einkristalline PbTe- BaF„-Reflexes.
Schicht auf einkristal- Sch
linem BaF,. Al
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