UNTERKUHLUNG UND WACHSTUMSGESCHWINDIGKEIT 
or Für Systeme, deren Komponenten unterschiedlichen Wachstumsbedin- 
n gungen unterliegen, wie dies für Al-Si-Legierungen durch die bevor- 
zugten Wachstumsrichtungen des Si der Fall ist, zeigten Jackson und 
1e Hunt? schematisch den Zusammenhang zwischen Unterkühlung und Wachs- 
ge- tumsgeschwindigkeit für die möglichen auftretenden Phasen (Abb. 20). 
che 
; Phose Abb. 20: Schematische Darstellung der 
Unterkühlung der Kristalli- 
sation von ao und B sowie der 
er- eutektischen Kristallisation 
a + BB, nach9. 
zu Wachstum sgeschwindigkeit ,v — 5 11 
ae- 
Die a-Phase ist fiir den Al-Mischkristall, die g-Phase fiir das 
Silizium sowie das Eutektikum fiir das AlSi-Eutektikum zu verstehen. 
Bei geringer Unterkühlung, also im gleichgewichtsnahen Zustand, eilt 
die Phase hoher Schmelzentropie (Si) vor; das Eutektikum wird bei 
s größer werdender Unterkühlung zur führenden Phase, während die reine 
metallische Phase, also das Al bei hohen Unterkühlungswerten primär 
in erstarrt. Diese Zusammenhänge konnten bei unseren Untersuchungen 
Hae bestdtigt werden. Durch Veredelungszusdtze kommt es gegeniiber der 
unveredelten Al-Si-Legierung zu einer Verschiebung dieser Zusammen- 
hänge, wobei bei größeren Unterkühlungen das Al stärker primär 
kristallisiert. Während bei Absenkgeschwindigkeiten von 0.2 mm/min 
in der unveredelten Legierung eindeutig das Si führend ist, wird 
durch die Veredelung das eutektische Wachstum und somit eine ebene 
Erstarrungsfront begünstigt. 
ERSTARRUNGSBEDINGUNGEN UND Si-TEILCHENABSTAND IN DEN AlSi-LEGIERUNGEN 
Theoretische Zusammenhänge zwischen Erstarrungsparametern und Gefüge- 
kriterien sind u.a. zusammenfassend in > erörtert. In metallischen 
ST Klasse I- Eutektika, z.B. Pb-Sn, ist eine eindeutige Abhincigkeit der 
Gefligefeinheit von der Vachstumsgeschwindigkeit bzw. der Unter- 
kithlung festzustellen, die mit R.A" = konst. beschrieben werden kann 
(R = Erstarrungs- oder Wachstumsgeschwindigkeit, A = Lamellen - oder 
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