Abbildung mit Riickstreuelektronen 
Kontrast: Abb. 1 zeigt den Schliff einer veredelten Al-12 Gew.% Si 
GuBlegierung unter üblichen präparativen und elektronenoptischen Be- 
dingungen bei 15 kV Beschleunigungsspannung im REM. Bereits bei einer 
Vergrößerung am Gerät von 1000-fach ist eine vollautomatische Ausmes- 
sung der Proben aufgrund des ungiinstigen Signal-Rausch-Verhdltnisses, 
des schwachen Kontrastes und der schlechten Auflösung nicht mehr mög- 
lich. Die in Abb. 2 dargestellte Abhängigkeit der Rückstreuelektronen- 
ausbeute n von der Ordnungszahl Z der abgebildeten Phasen /1,2/ erklärt 
diese ungünstigen Abbildungseigenschaften. Sowohl Aluminium wie Sili- 
zium mit den Ordnungszahlen 13 und 14 haben eine Ausbeute von nur etwa 
10 %, was zu einem verrauschten Bild führt. Außerdem zeigen beide 
fast die gleiche Ausbeute und ergeben somit einen äußerst geringen 
Kontrast. 
Abb. 
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Abb. 1: Riickstreuelektronen-Bild einer veredelten Al-12% Si GuBle- als ¢ 
gierung bei 1000-facher Vergrößerung im REM. inte 
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