Abbildung mit Sekunddrelektronen 
Die niederenergetischen Sekundärelektronen (bis ca. 100 eV) werden in 
der Rasterelektronenmikroskopie vorwiegend zur Abbildung von struktu- 
rierten, rauhen Oberflächen verwendet. Unter bestimmten Bedingungen 
lassen sich auch von ebenen, polierten Oberflächen Kontraste erzielen, 
die den auch bei Sekundärelektronen auftretenden schwachen Materialkon- 
trast völlig überdecken. Abb. 5 zeigt eine frisch polierte Al-12% Si- 
Probe, die mit Sekundärelektronen aufgenommen wurde. Hier erscheinen 
die Siliziumbereiche dunkler als die Matrix, es hat also eine Kontrast- 
umkehr gegenüber den in Abb. 1 vorliegenden Verhältnissen stattgefunden. 
Offensichtlich treten hier Oberflächeneffekte auf, die die Sekundärelek- 
tronenausbeute im Aluminium gegenüber der im Silizium erhöhen. Bei der 
Aufnahme mit 6000-facher REM-Vergrößerung in Abb. 6 zeigt das duktile 
Aluminium nach der metallographischen Präparation eine deutlich höhere 
Rauhigkeit als das spröde Silizium. 
Abb. 
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Abb. 5: Kontrastumkehr durch Mikrotopographie-Kontrast im Sekundär- leis 
elektronen-Bild bei gleicher Vergrößerung wie in Abb. 1. schis 
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