keiner weiteren Nachbehandlung ausgesetzt war. Die Banddicke be- 
trägt ca, 100um; die Korngröße im Bereich der freierstarrten 
Oberfläche liegt in der gleichen Größenordnung oder teilweise 
sogar etwas höher, An der Bandunterseite befindet sich ein etwa 
- 20um dicker feinkristalliner Saum (Fig. 8a). Die beim Herstell- 
or prozeB eingeschreckten feinverteilten Keime bilden Ausgangspunk- 
te fiir das Wachsen der Korner. Von dieser groBen Korneranzahl 
wachsen nach einiger Zeit nur noch einige wenige weiter, was zu 
der deutlich höheren Korngröße oberhalb des feinkristallinen 
\ Saumes fiihrt. Fig. 8b zeigt, daß es möglich ist, durch eine zu- 
sätzliche Glühung (1h/1300°C) in der feinkristallinen Zone ein 
Kornwachstum zu erzielen. 
Zusammenfassung 
Nach der Rascherstarrungstechnologie wurden dünne polykristalli- 
ne Siliziumbänder als Ausgangsmaterial für Solarzellen herge- 
stellt. 
bene Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit den verschiedenen me- 
zen pa- tallographischen Präparationstechniken für die Gefügeanalyse der 
en für polykristallinen Siliziumbänder, 
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