Prakt. Met. Sonderband 41 (2009) 183 
Schädigungsmechanismen der gelöteten Hochtemperaturweichlote 
SnSbS, SnSb20, PbSb10 und PbIn 19 nach thermischer Auslagerung 
K. Reiter , M. H. Poech 
Fraunhofer Institut fir Siliziumtechnologie, Itzehoe 
1 Einführung 
Fir eine Spezialanwendung soll ein elektronisches Keramikbauteil auf eine Leiterplatte gelotet 
werden. Dieses Bauteil soll viele Temperaturzyklen bei einer Maximaltemperatur von 240°C 
aushalten. 
Für die Lotung des Bauteils wurde ein Weichlot gesucht, bei welchem der Schmelzbereich 
zwischen 240°C und 280°C liegt. 
Ausgewihlt wurden die Lote SnSb5, SnSb20, Pb81In19 und Pb90Sb10. 
2 Versuchsdurchfiihrung 
Für den Anwendungsfall wurden die Lötverbindungen einer thermischen Belastung von 240°C über 
24h ausgesetzt. 
Von den gelöteten Bauteilen wurden Querschliffe im Ausgangszustand und nach Temperatur- 
Belastung angefertigt. 
Im Ausgangszustand wurden die Lötverbindungen in Bezug auf Benetzungsverhalten und 
Porenbildung beurteilt, nach der Alterung auch auf Schädigungen und Veränderungen im Lot und 
Leiterplattenmaterial untersucht. Einzelne Phasenbestandteile wurden mit Hilfe der EDX- Analyse 
analvsiert. 
2.1 Untersuchung der Lötverbindungen 
Für die Untersuchung wurden Zinn Antimon Lote und Bleibasislote gewählt. Die Phasendiagramme 
sind in den Bildern 1a-c dargestellt. Der Schmelzbereich der Lote ist in der Tabelle 1 gezeigt. 
a) SnSb b) PbIn ) 
Bild 1a-c: Phasendiagramme SnSb, Pbln und PbSb [1] 
c) PhSE