192 Prakt. Met. Sonderband 41 (2009)
Bild 4 zeigt einen außergewöhnlich dramatischen Fall von lokaler Aufschmelzung, der durch SiC Es is
während des Probenaufschlusses in einem Zementwerk verursacht wurde. In diesem Fall wurde der zum
Tiegel in einer Induktionsspule erwärmt. Spuren von SiC waren am Rand des Tiegels vorhanden. Mat
Als dieser Teil des Tiegels dem Schmelzpunkt des Pt-Pt;Si-Eutektikums ausgesetzt war (830°C), verh
begann das Platin zu schmelzen. Ein großer Tropfen des geschmolzenen Pt-Si-Eutektikums, der kom
noch Partikel von unreagiertem SiC enthielt, lief an der Innenseite des Tiegels herunter und setzte
das Aufschmelzen des Platins während des Absinkens fort. Als der geschmolzene Tropfen die 3.3‘
Oberfläche des Aufschlusses erreichte, lief er etwas auseinander und das SiC griff einen größeren
Bereich der inneren Oberfläche des Tiegels an (Bild 4, rechts). Dennoch war der Silizium-Gehalt Wäh
des Platins ausreichend, um den Schmelzprozess fortzusetzen, bis der Boden des Tiegels erreicht Vers
war. Die metallographische Untersuchung des Bodens zeigte SiC-Partikel im wiedererstarrten der )
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Bild 4: Lokale Aufschmelzung eines Pt-Tiegels
3.2 Kohlenstoff
Neben seinem Einfluss bei der Reduktion von Oxiden der „Platin-Gifte“ kann Kohlenstoff selbst Bild ¢
besonders schädlich auf die strukturelle Integrität von Platin wirken. Bild 5 zeigt einen Platin-Draht, 4
der Kohlenstoff bei erhöhten Temperaturen ausgesetzt war. Der in die Korngrenzen diffundierte /
Kohlenstoff führt zur Trennung der Korngrenzen und zu Porosität. Die Mechanismen dieses
Prozesses sind noch nicht völlig verstanden, aber die Wirkung ist ebenso an Platin-Katalysatoren
heobachtet worden, die kohlenwasserstoffhaltigen Atmosphären ausgesetzt waren.
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Bild 7
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Bild 5: Zerstörung von Platin entlang der Korngrenzen verursacht durch Kohlenstoffverunreinigungen Schw