Analyse der Versetzungsanordnung in einkristallinem Beryllium
U. Scholz, H. Yao, F. Miicklich, G. Petzow
Max-Planck-Institut fiir Metallforschung, Institut fiir Werkstoffwissenschaft,
Pulvermetallurgisches Laboratorium, Heisenbergstr. 5, D- 70569 Stuttgart
KURZFASSUNG
Einkristallines Beryllium ist ein potentieller Monochromatorwerkstoff höchster Effizienz für Rontgen-
bzw. Synchrotronstrahlung. Voraussetzung dafiir sind Einkristalle mit definierter Gitterperfektion, um ge-
zielte Diffraktionseigenschaften zu erreichen.
Zu diesem Zweck wurden Beryllium-Einkristalle hinsichtlich ihrer Versetzungsdichte und Anordnung un-
tersucht. Die Bestimmung der Versetzungsstruktur erfolgte über die Ätzgrübchenmethode.
Simulationsrechnungen an Versetzungen ergaben, daB nicht nur die Versetzungsdichte, sondern auch deren
Anordnung einen entscheidenden Einfluß auf die Diffraktionseigenschaften ausüben. Ausgehend von idea-
lisierten Versetzungsanordnungen werden verschiedene einkristalline Zustände durch eine schrittweise An-
näherung der Simulation an die experimentell beobachtete Realstruktur diskutiert. Die simulierten
Versetzungsanordnungen werden mit experimentell bestimmten Versetzungsstrukturen anhand der jeweils
errechneten Paarkorrelationsfunktionen verglichen.
Analysis of Dislocation Arrangement in Single Crystalline Beryllium
ABSTRACT
Single crystalline Beryllium is a potential monochromator material with highest efficiency for the applica-
tion to x-rays and in particular to synchrotron radiation. Monochromator crystals need a definite lattice
perfection in order to achieve the desired diffraction properties.
For this purpose the dislocation density and their configuration, in beryllium single crystals, have been ex-
amined. The dislocation structure has been characterized with using etch pit formation.
Computer simulations of dislocation structures show that, not only the density of the dislocations, but also
their configuration have a decisive influence on the diffraction properties. Starting with ideal dislocation
configurations, different single crystalline states are approximated step by step to the real structure. The
distribution of dislocation have been compared through etch pit micrographs with simulated dislocation
arrangements by their pair correlation functions.
Prakt. Met. Sonderbd. 26 (1995) 213
