Phasenbildung in Metall-Halbleiterkontaktschichten und 
Priparationstechnik fiir TEM-Untersuchungen 
InCr5 
I. Urban”, A. Klein?, W. Osterle”, U. Merkel? 
1) Bundesanstalt fiir Materialforschung und -priifung (BAM) 
2) Ferdinand-Braun-Institut fiir Hochstfrequenztechnik Berlin (FBH) 
andlungen Kurzfassung: 
Es wird eine Technik fiir die Querschnittspriiparation anhand des Beispiels des Metall- 
Halbleiterkontaktes (GaAs) vorgestellt, die die Hochauflosungselektronenmikroskopie (HREM) 
3 an dünnen Schichten ermöglicht. Damit ist die Untersuchung der Phasenbildung während der 
5 Formierung des ohmschen Kontaktes und die Analyse der cinzelnen Phasen möglich. Durch 
E Optimierung des Schichtsystems kann die Bildung einer stabilen Phase und damit eines stabilen 
ohmschen Kontaktes erreicht werden. 
; Phase Formation in Semiconductor-Metal Contactlayer and Preparation Technique for 
TEM-Analysis 
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200°C) ABSTRACT: 
A preparation technique for TEM (HREM) cross-sectional investigation of multilayers was 
developed. This technique was applied to the analysis of metal-semiconductor (GaAs) contacts. 
The formation of different phases at the interface of the ohmic contact during annealing was 
investigated. The metal layer system was optimized for the formation of a stable phase yielding 
: stable ohmic contacts. 
Einleitung 
Am Ferdinand-Braun-Institut fiir Hochstfrequenztechnik Berlin (FBH) werden Bauelemente und 
Schaltungen entwickelt, die der mobilen Nachrichtenübertragung bei hohen Frequenzen dienen. 
Prakt. Met. Sonderbd. 26 (1995) 339 
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