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Gemeinschaftsversuch zur Zielpräparation an einem Transistor 
G. Kiessler, G. Elssner, Max-Planck-Institut für Metallforschung, Stuttgart; 
W.-U. Kopp, Radiometer GmbH Geschäftsbereich Struers, Willich 
Einleitung 
Der Arbeitskreis "Anschliff- und Dünnschliffpräparation" im Fachausschuß "Metallographie" der 
DGM befaßt sich in seinem Rundversuch im Jahre 1996 mit einer Zielpräparation an einem Bipolar- 
transistor. Hierbei soll der Anschliff gleichzeitig durch eine aufgebondete Kontaktstelle und durch 
den Silicium-Chip des Bipolartransitors gelegt werden. Die Durchsprache mit den Versuchsteilneh- 
mern wird im Herbst dieses Jahres erfolgen. Anhand von ausgesuchten Mikrophotographien und 
Informationen über die Präparationsdurchführung wird ein erster Überblick über den Rundversuch 
gegeben und Vorschläge zur Probenpräparation gemacht. Acht Laboratorien aus Industrie und For- 
schung haben ihre Ergebnisse eingesandt. 
Durchführung der Zielpräparation 
Die Anschliffe wurden von Hand und automatisiert bearbeitet. Zeitraubend war die Probenahme und 
die Kontrolle der Lage der Anschliffläche zwischen den einzelnen Präparationsstufen.. Zum Einbet- 
ten erwies sich Epoxidharz als günstig. Durch spaltfreies Einbetten ließen sich Deckschichten gut 
sichtbar machen und bei genügender Dicke auch ausmessen. Vorwiegend wurden Querschliffe an- 
gefertigt. Schrägschliffe hatten jedoch den Vorteil, Schichtdicken und andere Details in einer Dimen- 
sion vergrößert wiederzugeben, und geben beim Mikroskopieren eine bessere Orientierung über die 
Lage des Anschliffs im Transistor. 
4): + 
> 4. Polieren 
35 7 Schleifen 
“30 7 Anzahl der 
25 4 Präparationsstufer 
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%: 5 
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Präparation 
Bild 1: Präparationszeiten im Gemeinschaftsversuch 
Wie Bild 1 zeigt, lagen die Präparationszeiten zwischen 8 und 36 min. Diese Werte beziehen sich auf 
die Summen aus reiner Schleif- und Polierzeit. Im allgemeinen wurde auf SiC-Papieren naß geschlif- 
fen, mit Diamant poliert und mit kolloidalem Siliciumdioxid endpoliert. Der Silicium-Chip durfte 
nicht mit hohem Anpreßdruck und auch nicht mit gröberen Diamantkörnungen, z.B. 15 um, bear- 
beitet werden, da dadurch Risse im Silicium entstehen. Zum Kontrastieren der Einzelheiten des po- 
lierten Anschliffs wurden die in Tabelle 1 angegebenen Verfahren eingesetzt. Die Bonddrähte aus