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Aluminium ließen sich nicht anätzen. Die Sichtbarmachung der dotierten Bereiche im Silicium gelingt 
mit dem Atzmittel aus Salpetersäure, Flußsäure, Essigsäure und Jod sehr gut. 
Mittel Anwendung 
Kolloidales Siliciumdioxid Reliefpolieren des Anschliffs 
Hellfeld, polarisiertes Licht, Differential- Optisches Kontrastieren der 
interferenzkontrast (DIK), Dunkelfeld Bestandteile des Transistors 
1%ige alkoholische HNO; Anätzen des CE des 
38 mi HNO; * Jod löst sich schwer: 
12 ml HF Magnetrührer 30 min. Sichtbarmachung dotierter Bereiche im 
42 ml CH;COOH Chemisches Ätzen bei Silicium 
0,1 g Jod* Raumtemperatur für 10 s 
Nachweis von Unterschieden in den 
Bedampfen mit Kohlenstoff Aluminium-Schichten 
Tabelle 1: Im Rundversuch eingesetzte Kontrastiermethoden 
Versuchsergebnisse 
Der Kopf des im Bild 2 gezeigten Bipolartransi- 
stor der Bauart BC140-16 wurde durch Trennen 
oder Abschleifen entfernt. Dadurch ließ sich der 
Silicitum-Chip und die Anschlüsse für die Basis 
und den Emitter freilegen. Sie sind in Bild 3 in 
der Aufsicht wiedergegeben. 
Danach wurde der in Epoxidharz eingebettete 
Transistor wie in Bild 2 eingezeichnet schräg 
angeschliffen. Die Lage des Schrägschliffs er- 
laubte es, in einer Anschliffebene die Bondstel- 
len von Basis und Emitter simultan zu erfassen. 
Dies ist in Bild 4, das den Silicium-Chip in höhe- 
rer Vergrößerung zeigt, veranschaulicht. 
Bild 5 gibt die Position des Schrägschliffs 1 an, 
bei dem die Bondstellen gerade angeschnitten Un 
wurden. Die Aufnahme wurde im polarisierten die 
Licht angefertigt. Dadurch werden Einzelheiten hal 
des Transistors unterhalb der Oberfläche des und 
Schliffs wie die dunkel erscheinenden SiO,-Bah- SCE 
nen abgebildet. An der oberen Kante des Schräg- Sch 
schliffs sind Einzelheiten des Schichtaufbaus zu Ba: 
Bild 2: Untersuchter Bipolartransistor erkennen. ge!