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‚ mit Abbildung 8 zeigt ein Schliffbild des ß-NisGe Ek2 unten quer zur Ziehrichtung geschnitten, das 
acht poliert, 30 Sekunden mit einer Mischung aus H20,+EtOH+HCI geätzt., und mit polarisiertem Licht 
liese und Nomarski Prisma aufgenommen wurde. Die starke Ätzung, die auch die Polierkratzer wieder 
änge verstärkt, macht Porenringe (und vereinzelt Korngrenzen) sichbar. In diesem Bereich wurde versucht 
sind, den Kristall durch sehr hohe Ziehgeschwindigkeit (bis zu 70 mm/h) zu verjüngen. Die Erstarrung 
geschah so rasch, daß sich Fehlstellen zwar zu Poren coagulieren, aber den Kristallverband nicht 
mehr verlassen konnten. Die Poren bilden ringförmige Cluster, die als Vorstufe neuer Korngrenzen 
erkennbar sind. 
Abb.8: ß-Ni3;Ge Ek2 unten (Vergrößerung 500 fach) 
4.Schlußfolgerungen: 
Die eben gezeigten Versuche zur Züchtung von ß-Ni3;Ge Einkristallen mit mehreren Zentimetern 
Länge und ca. lcm Durchmesser waren nur zum Teil erfolgreich. Die metallographische 
Charakterisierung zeigt, daß zwar große einkristalline Bereiche, aber keine perfekten Einkristalle 
erhalten wurden. Folgende, dafür verantwortliche Defekte konnten metallographisch identifiziert 
werden: Graphitausscheidungen, Mikrorisse, Porenringe, Streifenbildung und Korngrenzen. 
Die Graphitausscheidungen sowie die Porenringe können bereits durch die geeignete Wahl der 
Ziehbedingungen weitgehend vermieden werden. 
Literatur: 
(1) Yasuda H., Nakajima H. Koiwa M.: Defect and Diffusion Forum, 95-98 (1993) pp 823-830 
(2) Tanaka K., Yasuda H., Numakura H., Koiwa M.: Proc. 1* Pacific Rim Int. Conf. Adv. Mat. & 
Proc., C. Shi, H. Li and A. Scott eds, (The Minerals, Metals & Materials Society, Warrendale, Ohio. 
USA, 1992) 491- 494) 
(3) Gruber U., Diplomarbeit, Universität Wien, 1993 
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