Stadien der Lotermüdung
a Die vorliegende Untersuchung wird an 1206- Chipkondensatoren durchgeführt. Die Proben
ER wurden mit Temperaturen zwischen -55°C und + 125°C bei einer Zykluszeit von 38 min belastet.
e Zur Untersuchung werden Proben im ungealterten Zustand sowie mit einer Beanspruchung von
1000, 2000 und 5000 Temperaturzyklen herangezogen. Diese Proben werden zunächst im REM
von außen begutachtet.
Bild 3: REM- Aufnahmen der gezykelten Proben
IE Bild 3 zeigt das äußere Erscheinungsbild der Lötverbindungen. Bild 3a stellt die Lötverbindung
ae im Ausgangszustand dar. Man sieht einen gut benetzten Kondensator mit einer glatten
IE Lotoberfläche. Bild 3b zeigt den Zustand der Lötverbindung nach 1000 Zyklen. Die
er Lotoberfläche hat ein schuppenartiges Aussehen, einzelne Furchen vertiefen sich zu Anrissen auf
er der Oberseite der Lötverbindung in der Nähe der Lötanschlußfläche. Nach 2000 Zyklen, Bild 3c,
18 bilden sich verstärkt Ermüdungsrisse aus. Die stärkste Schädigung befindet sich im Bereich Lot-
;b. Endkappenmetallisierung. In Bild 3d sieht man den Kondensator nach 5000 Zyklen. Man erkennt
ht einen weit offenen, umlaufenden Riß in der Nähe der Benetzungslinie zwischen Lot und
Er Endkappenmetallisierung. Nach der Begutachtung werden die Proben gemeinsam mit
nt Markierungsdreiecken in Epoxydharz eingebettet. Die Markierungsdreiecke dienen der
Ermittlung der Tiefe der jeweiligen Schliffebenen. Bild 4a zeigt die Ansicht von oben auf den
Kondensator mit den Markierungsdreiecken, Bild 4b eine Übersicht einer Schliffebene
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