138 Prakt. Met. Sonderband 30 (1999)
Die EinfluBparameter auf die Gefligednderungen sind bisher wenig bekannt und es gibt sehr wider-
spriichliche Ergebnisse. So tritt z.B. dynamische Rekristallisation auf, wenn die Kriechspannung
bzw. Verformungsgeschwindigkeit hoch ist (4, 16). Bei mittleren Kriechtemperaturen (500 bis
600 °C) wird jedoch nicht über dynamische Rekristallisation berichtet (20). Andere Autoren spre-
chen von einer Dehnungsabhingigkeit (18). Ein weiterer EinfluBparameter stellt dann noch die
chemische Zusammensetzung dar (19), welche die Stapelfehlerenergie verändert, und somit das
Erholungs- und Rekristallisationsverhalten beeinflußt. Darüber hinaus bringen einige Autoren die
dynamische Rekristallisation überwiegend mit dem tertiären Bereich in Verbindung (15, 19). Dies
zeigt, daß die Kriechmechanismen und insbesondere die Rolle der dynamischen Rekristallisation
beim Kriechen von near-y-TiAl noch keineswegs vollständig geklärt sind.
Erste TEM-Untersuchungen an den in dieser Arbeit untersuchten Kriechproben zeigten, daß durch-
aus sehr kleine (= 1 um), versetzungsfreie Körner vorliegen, Bild 4 (21). Möglicherweise reicht der
Kontrast des Rasterelektronenmikroskops im Rückstreumodus nicht aus, um diese Körner sichtbar
zu machen. Ebenso sind die manchmal sehr geringen Orientierungsunterschiede dieser neuen klei-
nen Körner mit mindestens einem der benachbarten Körner hinderlich, um mit dem Rückstreukon-
strast im REM eindeutige Unterschiede zwischen den y-Körnern auszumachen (21). Für die Zukunft
sind daher TEM- und Textur-Untersuchungen geplant, um weitere Aufschlüsse über das Rekristalli-
sationsverhalten zu gewinnen.
Bild 4: Kleines, rekristallisiertes, versetzungsfreies y-Korn (T= 750 °C, o=
204 MPa, &,, Ca. 2%).
Mechanische Zwillingsbildung
Anhand der REM-Bilder wird schon optisch die mechanische Zwillingsbildung in den y-Körnern
als ein weiterer wichtiger Teilmechanismus des Kriechens ausgemacht. Es läßt sich eine gewisse
Abhängigkeit von der Temperatur und der angelegten Spannung erkennen. So liegen im Ausgangs-
