Auch für SiC-Keramiken ohne Bindephase ist das AFM einsetzbar. Durch chemische Kornflächen- 
ätzung werden die Kristallite in Abhängigkeit von der Orientierung unterschiedlich abgetragen. 
Dies führt im AFM zu einem Kristallitflächenkontrast, wie Bild 4 zeigt. 
AN 
SNK 
500 nm 
Bild 4: AFM-Aufnahme einer chemisch Bild 5: AFM-Aufnahme einer thermisch 
gedtzten SiC-Keramik gedtzten Zirkonoxidkeramik 
Oxidische Keramikwerkstoffe 
. Besonders im Submikrometerbereich stellt das AFM fiir oxidische Keramiken eine sehr gute Alter- 
native dar. Bild 5 zeigt die Korngrenzenstrukur einer thermisch geidtzten ZrO,-Keramik mit Submi- 
krometerstruktur. 
In oxidischen Kompositkeramiken konnen die Einlagerungskomponenten nach einer Ionenitzung 
is salle mit dem AFM sehr gut sichtbar gemacht werden. Die Bilder 6a u.b zeigen AFM-Aufnahmen einer 
= Einstellen ionengeitzten ZrO,/TiC-Keramik. Durch die unterschiedlichen Ionenätzabtragsraten für die ver- 
m on FM schiedenen Phasen entsteht ein scharfes Hohenprofil, das zur kontrastreichen Abbildung der TiC- 
N dr i dit Partikel bis in den Nanometerbereich genutzt werden kann. 
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be 
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500 nm ; 
»M) nm. i 
Bild 6a u.b: AFM-Aufnahmen einer ionengeitzten ZrO,/TiC-Verbundkeramik in rdumlicher Dar- 
stellung (a) und im Topografiekontrast (b) 
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