Prakt. Met. Sonderband 38 (2006) 373 
rum eine Electron-Channeling-Contrast-Imaging (ECC) Methode: 
es, die Die ECCI-Methode beruht auf dem Elektronenriickstreueffekt [4]. Fur kristalline 
fur die Substanzen ist die Internsität der rückgestreuten Elektronen abhängig vom Winkel 
s fur die zwischen einfallendem Elektronenstrahl und den Netzebenen des Kristalls. Voraussetzung 
e mit den ist ein Elektronenstrahl geringer Divergenz und geringem Durchmesser mit ausreichender 
rend des Intensitat. Nach einer vereinfachten Theorie, dem Teilchenmodell, tunnelt (channeling) der 
Großteil der Elektronen durch das Gitter, wenn der Strahl parallel zu den Netzebenen 
verläuft, und nur ein geringer Teil wird rückgestreut. Die Intensität der rückgestreuten 
Elektronen nimmt mit zunehmendem Winkel zwischen Elektronenstrahl und Netzebenen 
zu. Wenn der Elektronenstrahl über einen großen einkristallinen Probenbereich einer etwa 
normal zur optischen Achse angeordneten Einkristallprobenoberfläche rastert, so ändert 
sich der Winkel kontinuierlich zwischen Elektronenstrahl und Netzebenen, was zu einem 
n (WVM) Linienmuster ähnlich den Kikuchi-Linien führt (Electron Channeling Pattern, ECP). 
‚nn Reihen ECC-Abbildungen entstehen dann, wenn unter ECP Bedingungen Probenbereiche bei 
‚esentlich hoher Vergrößerung abgerastert werden, also nur ein Abschnitt einer ECP Linien den 
n Tabelle Bildbereich überdeckt [5]. In diesem Fall ist die Verkippung des Strahles im Bereich der 
ch einem abgebildeten Oberfläche vernachlässigbar. Die Kontrastunterschiede zwischen einzelnen 
ırden die Körnern entstehen infolge der Orientierungsunterschiede, innerhalb einzelner Körner 
sgrad ca. durch lokale Verkippung des Kristallgitters infolge von Versetzungsanhäufungen, 
glüht, um Zellwanden oder Subkorngrenzen. Der Vorteil dieser Methoden liegt darin, dass 
ührenden Probenoberflächen in der üblichen Anordnung normal zur optischen Achse untersucht 
nit einem werden können, dabei große Probenbereiche überstrichen werden können, und dass ohne 
Jegliihten Winkelkorrektur durch einfaches Umschalten Untersuchungen mit Sekundéarelektronen, 
Rückstreuelektronen und Channeling-Bedingungen durchgeführt werden können [6]. 
Electron Back-scattered Diffraction (EBSD) Methode: 
Wie bei den ECC-Aufnahmen stammen auch die im EBSD-Verfahren erhaltenen 
Information von der Wechselwirkung der Primärstrahlelektronen mit dem Kristallgitter [7]. 
Bei dieser Methode trifft ein Elektronenstrahl auf eine etwa 70° zum Strahl geneigte Probe. 
Die vorwärts gestreuten Elektronen bilden dabei ein Kikuchi-Liniensystem, das mittels 
eines Fluoreszenzschirms und einer CCD Kamera erfasst und mit Hilfe einer 
entsprechenden Software ausgewertet und auf einem Monitor wiedergegeben wird. Bei 
Zi und stationärem Elektronenstrahl kann aus dem Liniensystem die lokale Kristallorientierung 
N 50106 abgeleitet werden (EBSD-Punktanalyse). Wird der Elektronenstrahl über die 
pein aus Probenoberfläche gerastert, so kann für jeden Rasterpunkt eine Orientierung bestimmt 
ie Probe werden (Pixelgröße weniger als 0.1 um). Wird jeder Pixelorientierung ein Farbcode aus 
einem Orientierungsdreieck zugeordnet, so könne die Orientierungen in entsprechender 
3 und 0.7 Farbe in der Abbildung aufgetragen werden. Körner werden definiert als 
ezustand Zusammenfassung von benachbarten Pixeln mit Missorientierungen kleiner als einem 
momen vorgegebenen Schwellwert (Kristallorientierungsabbildung). Orientierungsunterschiede 
je Zeit in zwischen einzelnen Kérnern kénnen als Missorientierungen ausgewertet werden und nach 
lon. Die vorgegebenen Orientierungswinkelbereichen als Missorientierungshistogramme 
Iches mit dargestellt werden (Missorientierungbestimmung). EBSD-Untersuchungen liefern somit 
folgende Informationen: 
(i) Kristallorientierung einzelner Körner bei stationdrem Elektronenstrahl, (ii) 
Kristallorientierungskarten bei Rastern des Elektronenstrahls über die geneigte 
tgelegten Probenoberfläche (mit elektronischer Nachfokussierung und Ausgleich der Bildverkürzung). 
don und (iii) Mittels elektronischer Analyse der Schärfe der Kikuchi-Linien können 
nur die Kristallqualitdtsabbildungen (Pattern Quality Map) erstellt werden, (iv) Missorientierungen 
und deren Haufigkeit im Bereich von Korn- und Subkorngrenzen kénnen in Form von 
Histogrammen dargestellt werden.