528 Prakt. Met. Sonderband 38 (2006) 
(Abbildung 3 (b)). Im linken Teil der Aufnahmen befindet sich jeweils Kupfer, rechts ist t 
stets die Graphitmatrix zu sehen. Zwischen Cu und C/C ist in beiden Proben eine 
durchgehende graue Schicht zu erkennen. Diese wurde als TiC identifiziert. Die Dicke der = 
Schicht beträgt in beiden Proben durchschnittlich 20 um. : 
Im Fall von Probe A ist die Schicht weitgehend homogen (Abbildung 3 (a)). Erkennbar sind 
Risse in der TiC-Schicht in die Cu eingedrungen ist. Das Kupfer ist kaum mit anderen 
Phasen durchmischt. Der Aufbau der TiC-Schicht in Probe B, die in Abbildung 3 (b) 
gezeigt ist, unterscheidet sich von jenem im Probensatz A. Eine etwa 5 um dicke 
homogene TiC-Schicht (in Abbildung 3 (b) mit 1 markiert) befindet sich an der Grenze zur 
C/C Matrix. An diese schließt eine TiC-reiche Schicht (in Abbildung 3 (b) mit 2 
gekennzeichnet) an, in der aber laut EDX-Analyse auch Cu und Spuren von Si zu finden 
sind. In dieser Schicht sind Risse, die mit Cu gefüllt sind, und zudem feine mit Cu gefüllte 
Kanäle zu erkennen. Im Inneren der Bohrung ist das Cu stark mit dunkel gefärbten 
Bereichen durchmischt. Die Zusammensetzung dieser Bereiche variiert stark über die 
gesamte Probe, gefunden wurden neben Cu und Ti auch Si und C, sie ist also mit jenem 
in Abbildung 3 (b) mit 2 gekennzeichneten Bereich vergleichbar. 
Abb.3 BSE-Aufnahmen des C/C-Cu Grenzflächenbereichs (Detailaufnahmen) von (a) 
Probe A und (b) Probe B 
Die auftretenden Schichten wurden auch bei höherer Vergrößerung untersucht. In 
Abbildung 4 (a-h) sind Elementverteilungsaufnahmen von C, Ti und Cu sowie die BSE- 
Aufnahmen der TiC Schicht von Probe A und B dargestellt. Die Morphologie der beiden 
Schichten zeigt große Unterschiede. Während in Probe A die Schicht eine homogene 
Zusammensetzung zeigt, ist jene in Probe B von fein geäderten Bereichen durchdrungen. 
In der Grenzschicht ist C in großen Mengen vorhanden, die in den Bildern 4 (a) und (d) 
heil dargestellten Risse und Kanäle enthalten jedoch deutlich geringere Mengen. Der in 
Abbildung 4 (e) abgebildete dunkle fein geäderte Bereich enthält ebenfalls C. Ti tritt in 
beiden Proben nur innerhalb der Grenzschicht auf, nicht jedoch im Cu und im C/C. In der 
Schicht tritt Ti gepaart mit C auf, dies ist besonders bei den Bildern der Probe B, die in 
Abbildung 4 (f) und (g) dargestellt sind, zu erkennen. Es kann also in Verbindung mit den 
Ergebnissen der zuvor erwähnten XRD Messungen von TiC als auftretender Phase 
ausgegangen werden. Die Ausbildung zweier Schichten in Probe B ist ebenso zu sehen. 
Während Cu in Probe A nur in den Rissen der Schicht zu finden ist, zeigt es sich in 
Probe B auch in der Grenzschicht und im fein geäderten Bereich. Cu und Ti treten niemals 
in denselben Bereichen der Schicht auf, das Auftreten von (Cu, Ti) Verbindungen kann 
ausgeschlossen werden. Für beide Proben wurde auch eine Verteilung des Si gemessen. 
In Probe A lag die Si Menge jedoch unterhalb der Nachweisgrenze von 0,3 Massen%. Die 
Verteilung des Si in Probe B lieferte ein geringes Signal und ist aus diesem Grund hier 
nicht dargestellt. Es zeigt sich aber, dass Si in jenen Bereichen gehäuft auftritt, in denen 
auch Cu vorhanden ist. Da SiC durch Ti zersetzt wird, kann das freiwerdende Si im Cu