Full text: Fortschritte in der Metallographie

332 Prakt. Met. Sonderband 46 (2014) 
Härte 
[HV0.05] 
£31050-1100 
©1000-1050 
£3950-1000 
8900-950 
3850-900 
800-850 
1750-800 
Abbildung 3: Hartemapping an Langsschliffen von RCF-Proben im Bereich der WEA unter 
der Laufspur. Die Uberrollungsanzahl ist bei (a) 10°, bei (b) 10° und bei (c) 1.9 x 10°. 
Den geétzten Querschliff einer RCF-Probe mit knapp 108 Zyklen zeigt die LIMI-Aufnahme Ar 
in Abbildung 4 (a). Hier ist zusätzlich zur WEA im linken Bereich ein Butterfly-Wing 
erkennbar (gelbe Markierung), der in (b) vergrößert dargestellt ist. Darunter ist in (c) der 
Bereich der WEA in einer REM-Aufnahme mit EBSD-Messungen von vier Bereichen mit In Abt 
5 um x 5 um (schwarze Quadrate) ersichtlich. Bei allen Messungen liegen Bereiche vor, in (a) er 
denen durch die hohe zyklische Plastifizierung keine Indizierung von EBSD-Pattern ein R 
maglich ist. Nahe dem Rand in einer Tiefe von ca. 10 pm ist 34% indizierbar, bei 60 ym Matrix 
nur noch 5%. Der Anteil nimmt bei 150 um geringfiigig auf 12% zu, bevor er in 350 um bei (b) Ze 
45% liegt. Ebenso ist eine Ausrichtung der Orientierung am Rand ersichtlich. un 
Ci 
Abbil« 
Abbildung 4: (a) zeigt eine LIMI-Aufnahme einer RCF-Probe im Querschliff mit WEA sowie 
BW (gelbe Markierung), der in (b) vergrößert dargestellt ist. In (c) ist der Bereich der WEA Bei de 
mittels REM-Aufnahme sowie EBSD-Messung in den schwarzen Quadraten dargestellt. Laufst 
haben 
REM-Aufnahmen des BW‘s sowie EBSD-Messungen sind in Abbildung 5 dargestellt. In (a) Lagers 
sind Mikrorisse zu beiden Seiten sowie MC- sowie M,C-Karbide im Zentrum zu erkennen, Karbic 
welche eine lokale zyklische Plastifizierung durch Spannungsiiberhéhung bewirkten. Die Gefun 
Vergrößerung des unteren Bereichs in (b) zeigt eine nanokristalline Struktur sowie einen möglic 
Mikroriss nahe der Grenze zur Matrix. Im Bereich des BW's (c) kann im Gegensatz zur dass | 
angrenzenden Matrix (d) kein EBSD-Pattern erkannt werden. Wie von Grabulov in [11] würde 
beschrieben, dürfte Rekristallisation die Ursache für die nanokristalline Struktur sein. im Ur
	        
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