Full text: Fortschritte in der Metallographie

156 Prakt. Met. Sonderband 47 (2015) 
Die auf diese Weise ionenbearbeiteten Proben zeigen bei Untersuchung im REM eine unterschiedli- 
che Oberflichentopographie. Abbildung 2a zeigt die Oberfliche der Probe, die mit einem senkrecht 
einfallenden Ionenstrahl bearbeitet wurde. Deutlich erkennbar werden die Körner unterschiedlich 
stark vom Ionenstrahl angegriffen, was zu einem unterschiedlich großen Abtrag von Korn zu Korn 
führt. Korngrenzen und kleine Defekte sind sichtbar, werden jedoch trichterförmig abgetragen. 
Dadurch ist eine Bearbeitung mit senkrecht einfallendem Ionenstrahl als Präparation für die Analyse 
von Poren ungeeignet, da sich die offen gelegten Kavitäten nicht vermessen lassen bzw. deren Größe 
verfälscht wird. 
Der andere Extremfall ist die Bearbeitung mit einem fast parallel auftreffenden Ionenstrahl. Abbil- 
dung 2b zeigt die erzeugte Oberfläche nach der Behandlung unter einem Einfallswinkel von 1°. Es 
sind größere Defekte zu erkennen, die in Folge des Ioneneinfalls einen einseitig stark verbreiterten 
Randbereich zeigen. Die Oberfläche ist durch den Ionenstrahl nahezu nicht strukturiert. Von der Vor- 
behandlung sind Schleifspuren der mechanischen Bearbeitung sichtbar, was auf einen nur geringen 
Abtrag schließen lässt. 
Die Abbildung 2c zeigt eine ionenbearbeitete Probe aus DC04 und Abbildung 2d aus DP600, die 
jeweils mit einem Boschungsschnitt unter einem Winkel von 30° behandelt wurden. Am Fuß der 
Böschungsebene wird ein nahezu ebener Bereich erzeugt, der ein feines Relief zeigt, in dem sich die 
Mikrostruktur abbildet. Korngrenzen, härtere und weichere Phasen und Scherbänder, also Zonen ver- I 
schiedener kristallographischer Orientierung, lassen sich voneinander unterscheiden. Es lassen sich 
Kavitäten mit einem Durchmesser geringer 100 nm erkennen und vermessen. In Abbildung 2d sind | 
verschieden stark erhabene Bereiche sichtbar, was auf Martensitinseln im DP600 schließen lässt. 
II 
Bild 2: Einfluss des Einfallswinkels des Ionenstrahls auf die erzeugte Oberflächentopographie 
a) DP600, 90°, 3kV, 1,5 h b) DP600, 1°, 3kV, 1,5h 
c) DC04, 30°, 3kV, 1.,5h d) DP600, 30°, 3kV, 1.5 h
	        
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