112 Prakt. Met. Sonderband 52 (2018)
pm En + Hm
— I=
Abb.: 6 : Sinterprobe nach Sigen mit Abb.: / : 15> min MD Largo, 9p Dia- Abb.: 8: 3u und 1p Diamantsuspen-
Secotom mantsuspension sion und OPS-Politur poliert.
Die Abbildungen 6-8- stellen diese Préiparationsmethode dar. Nach dem Sägen sieht man im Bild ¢
kaum den Siliziumchip. Deutlich sind die Sägeriefen zu erkennen. Durch die Politur auf der Largo- N
scheibe lässt sich die Verformung beseitigen und nach der Feinpolitur lässt sich die Porosität der kr ;
Sinterschicht darstellen. we
Es gibt also zwei Priparationsmethoden, die zu guten Préparationsergebnissen fithren. N
Schliffbilder mit unterschiedlicher Porosität nach verschiedenen Herstellungsparametern werden in Be
den Abbildungen 9 und 10 gezeigt. Abbildung 9a und 9b zeigen eine Verbindung die mit einem LE.
Anpressdruck von 15MPa, bei einer Belastungszeit von 600 Sekunden bei 250° versintert wurde, be -
Profil 1. (ng WIN
Dawır de
Frage, 00 4
gly
fie Ve
Rimi
bids
qurein Tel
Focus Jon
PERE
Abbildung
Snd klar 7
Abb.:9a : Sinterprobe mit sichtbarer Porosität im Randbe- Abb.:9b Sinterprobe ohne sichtbare Porosität in der Pro- nah
reich, außerhalb des Chips (Profil 1) benmitte (Profil 1) hA we
Es ist erkennen, dass der gesamte Bereich unter dem Chip gut versintert ist und diese keine merkli- Sez
che Porosität aufweist. Ebenfalls ist keine Trennung zwischen der Metallisierung des Chips und Fos
dem Sintergefüge zu erkennen. Diese Tatsache lässt auf eine gute Versinterung der Fügepartner Vemleicht
über die gesamte Fläche des Chips schließen. Be. Tone
Das Gefüge neben dem Chip ist allerdings sehr porös und scheint nicht gut versintert zu sein, da in ra
diesem Bereich kein Druck aufgebracht wurde. Des Weiteren fällt auf, dass der Chip etwa 2/3 in die
Sinterpaste eingedrückt wurde. Allerdings ist auch zu sehen, dass die Kante des Chips gebrochen
ist. Dies kann beim Sägen des Wafers oder beim Sinterprozess passiert sein. [4]
Abbildung 10a und 10b zeigen eine Verbindung die mit einem Anpressdruck von 5MPa, bei einer
Belastungszeit von 180 Sekunden bei 150° versintert wurde, Profil 2.
