Full text: Fortschritte in der Metallographie

5. Weitere Beispiele 
Bei der Präparation vieler Materialien ist es erforderlich, sämtliche 5 Schleif- 
und Polierstationen der PREPAMATIC zu belegen. Die folgenden Gefügebilder zeigen, 
wie flexibel dieses vollautomatische Präparationssystem ist. 
Abbildung 10: Um das kohlenstoffhaltige Feuerfest-Material einer Schieberplatte 
mit unbekannter Zusammensetzung planschleifen zu können, wird der Al,05-Stein der 
Prédparationsstufe 1 gegen eine Diamant-Schleifscheibe ausgetauscht. Dann wird auf 
PETRODISC-M mit Diamantsuspension 6 um feingeschliffen und anschlieBend auf PAN-W- 
Tuch mit 6 um- bzw. 3 um-Diamantsuspension poliert. In der 5. Praparationsstufe 
wird auf einem Poliertuch OP-CHEM mit OP-S-Suspension feinpoliert. Die Aufnahme 
erfolgte im Dunkelfeld, V = 100x. 
Abbildung 11: Der Aufbau eines Supraleiter-Werkstoffes 1dBt sich nach einer Fein- 
politur mit OP-S in der 5. Prédparationsstufe gut erkennen. Der OP-S-Suspension 
wurde in diesem Falle H,0, und Ammoniak-Losung (25 %ig) zugesetzt (Hellfeld, 
V = 50x). 
Abbildung 12: Das Gefüge einer Kupferprobe wurde nach der 4-Stufen-Prdparation mit 
Ammoniumpersulfat-Lösung geätzt. Dadurch lassen sich im polarisierten Licht die 
einzelnen Kristallite sehr gut voneinander unterscheiden, obwohl Kupfer selbst 
nicht polarisiert (V = 100x). 
Abbildung 13: Der Faserverlauf von Aramitfasern, die in Epoxidharz eingebettet 
sind, 1äßt sich durch gezielten Abtrag exakt verfolgen (Dunkelfeld, V = 75x). 
Abbildung 14: Die Aufstellung von eigenen Programmen ermöglicht auch die Präpara- 
tion an nichtmetallischen Werkstoffen. Als besonderes Beispiel hier die Anschliff- 
präparation eines Baumwollsamens mit Fruchtknoten. Die Probe wurde auf SiC-Papier 
der Körnungen 500, 1000 und 2400 geschliffen, anschließend mit OP-S-Suspension auf 
OP-CHEM-Tuch poliert (Dunkelfeld, V = 50x). 
Abbildung 15: Durch eine 5-Stufen-Präparation konnte dieser abgebildete Raketen- 
festtreibstoff präpariert werden (Dunkelfeld, V = 100x). 
Abbildung 16: Der Kontaktfehler im elektronischen Schaltkreis eines Fotoapparates 
ließ sich durch gezielten Materialabtrag exakt erfassen (Auflichtfluoreszenz, 
V = 100+". 
uA}. 
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