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arbeitung so zu lenken, daß gewünschte Eigenschaften erhalten 
oder verbessert, unerwünschte unterdrückt werden. 
Damit die gebeugten Strahlen auf dem Film (Platte) eine photochemische Wir- 
kung auslösen, muß die Braggsche Reflexionsbedingung erfüllt sein: 
n.A4=—2d-sin 9. 
n = eine ganze Zahl 
A = Wellenlänge 
d = Abstand zweier paralleler Netzebenen 
% = Einfallswinkel = Reflexionswinkel. 
Das heißt einfallende Wellenzüge gleicher Phase* müssen den Kristall wieder 
gleichphasig verlassen, andernfalls tritt durch Interferenz* Auslöschung ein. 
1. Nach dem Laueverfahren (Abb. 101) werden einzelne Kri- 
stalle oder dünne Platten kristalliner Struktur mit hetero- 
gener* Röntgenstrahlung untersucht. 
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Abb. 101. Das Verfahren nach Laue. 
Ein schmal ausgeblendetes Strahlenbündel (einer gewöhnlichen 
Röntgenröhre) fällt auf den auf einem Goniometertisch genau 
justierten Kristall. In der Strahlenrichtung hinter dem Kristall 
steht die Platte. 
Nach der Belichtung trägt der Film Schwärzungsfiguren wie 
sie die Abbildung zeigt. Um den zentralen Durchstoßungspunkt 
des primären Strahlenbündels finden sich in symmetrischer 
Anordnung Schwärzungspunkte, die den durch Interferenz- 
reflexion an den Netzebenen* abgelenkten Anteilen des Strahlen- 
gemischs je einer bestimmten Wellenlänge entsprechen. Die 
Behandlung des Werkstoffs kennzeichnet sich durch Veränderung 
des Strukturbildes. 
Bedingungen für die Anwendbarkeit des Laueverfahrens sind 
Kristalle mit einer Fläche > 0,25 mm? und einer Mindestdicke 
von 0,1 mm; Querschnitt des Strahlenbündels etwa 1 mm}®; 
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