Neben diesem von den unterschiedlichen Austrittsarbeiten der verschiedenen Phasen eines Sina 
Gefüges abhängigen, ausgeprägten Materialkontrast der Photoemissions-Elektronenmikro- Mar 
skopie ist der von den unterschiedlichen Austrittsarbeiten der einzelnen Netzebenen einer der 
homogenen Phase abhängige Orientierungskontrast hervorzuheben? °is %; 7. der die Mar 
Gefügeveränderungen in einphasigen Materialien zu beobachten ermöglicht. Als Beispiel der 
diene die kontinuierliche Beobachtung der Rekristallisation von Siliziumeisen-Transfor- Aus 
matorblechen! ©. hoh 
Fig. 3 zeigt verschiedene Stadien der primären Rekristallisation und des Kornwachstums an möÖf 
ein und derselben Stelle, beginnend mit dem bei 530° C erholten Gefüge der elektrolytisch Übe 
polierten Probe (Fig. 3a). Die durch die elektrolytische Politur angegriffenen Korngrenzen nd 
bleiben als Gräben in den über sie hinwegwachsenden neuen Körnern stehen und können so Wol 
zur Markierung der beobachteten Stelle dienen (Figs. 3b bis d). Bei höheren Temperaturen em 
kommt der Angriff der neuen Korngrenzen der primär rekristallisierten Körner durch MO 
thermische Ätzung hinzu (Figs. 3e und f). Auch die Beobachtung der sekundären mit 
Rekristallisation ist möglich. Über weitere Rekristallisationsuntersuchungen, z. B. an Kupfer, m 
wurde bereits mehrfach berichtet? > *> ® nl 
Kontinuierliche Direktbeobachtungen dieser Art an kubischen Stoffen waren bisher nicht Kor 
möglich® , da im Lichtmikroskop Kontraste aufgrund der optischen Isotropie nur durch Mög 
Ätzung, bei kontinuierlichen Heizversuchen also nur durch thermische Ätzung erhalten 
werden können; letztere tritt jedoch meist erst bei Temperaturen auf, bei denen wesentliche Die 
Vorgänge bereits abgelaufen sind. Im Photoemissions-Elektronenmikroskop dagegen ist der Ani 
gesamte Temperaturbereich zwischen Raumtemperatur und 2000° C der Untersuchung wei 
zugänglich, und zwar sind, da stets ein integrales Bild auf dem Leuchtschirm vorhanden ist, Erw 
neben der stetigen Beobachtung und Einzelaufnahmen auch Filmaufnahmen möglich. Über Fes 
die Zuordnung der an der Oberfläche beobachteten Vorgänge zu denjenigen im Probeninnern turı 
kann nicht ad hoc entschieden werden; es muß vielmehr für jedes Material mit Ein 
Kontrollschliffen senkrecht zur beobachteten Fläche nach Abschluß eines Versuchs bzw. von eine 
Teilversuchen getrennt untersucht werden, inwieweit es zulässig ist, von den Ergebnissen der Auf 
dynamischen Oberflächenmikroskopie auf die Vorgänge im Innern von Werkstücken zu erım 
schließen? . Ein 
Die zur Abbildung verwendeten Photoelektronen kommen bei Metallen aus einer maximalen dies 
Tiefe von ca. 100 A: das bedeutet, daß die Grenzauflösung von 150 Ä bei polierten ebenen lich 
Schliffen erreicht wird, im Gegensatz zur Rasterelektronenmikroskopie, bei der die kon 
Grenzauflösung nur im topographischen Kontrast, d.h. also bei geätzten Oberflächen, ind« 
erreicht werden kann. Wie Pfefferkorn und Schur gezeigt haben>, ist die Auflösung für War 
dieselbe polierte Probe im Photoemissions-Elektronenmikroskop um mindestens eine Bei 
Zehnerpotenz besser als im Rasterelektronenmikroskop, da im letzteren zur Abbildung Obe 
solcher metallographischer Schliffe im Material - und/oder Orientierungskontrast die aus bis Ver 
zu 2 um Tiefe kommenden rückgestreuten Elektronen verwendet werden müssen. unn 
Bei Heizserien wie der gezeigten Rekristallisationsreihe wird man stets mit relativ niedrigen sche 
Vergrößerungen arbeiten müssen, um sicher zu sein, bei Beobachtung derselben Stelle am Leit 
Ende des Versuchs z. B. noch eine Korngrenze im Bildfeld zu haben. Beispiele für polierte der 
Schliffe, deren Gefüge auf andere Weise nicht direkt beobachtet und aufgelöst werden kann, bed 
168