Aufdampfapparatur eingebracht. 
Das Aufdampfsystem ist eine 
modifizierte” "Hot-Wall"-Epitaxie? 
(HWE)-Anlage, deren Aufbau in 
Abb. 2 wiedergegeben ist. 
BaF, — [111] Ein HWE-System besteht im Prinzip 
, aus vier unabhängig voneinander ge- 
steuerten Öfen: Dem Substratofen mit 
d= 1mm N 
dem Probenhalter, dem Quellenofen, 
Spalten —  Spaltstufen ! in dem das polykristalline Ausgangs- 
material (PbTe stöchiometrischer 
Abb. 1: Spaltvorgang Zusammensetzung) verdampft wird, 
dem Tellurofen und der "Wall", welche 
7 Substrate Furnace die Aufgabe hat, den PbTe-Molekular- 
psa I E  Rolaingbinte strahl zu fokussieren. Das Vakuum 
= tz beim Aufwachsvorgang beträgt ca. 
Ss Substrate (Bar ol Stationary Plate 1077 mbar, während der Dampfdruck 
wth Wall Furnace — | des quasi geschlossenen PbTe-Systems 
PbTe (Pb4-xSnxTe ) Quartz Tube um 3-4 GroBenordnuncen dariiber liegt. 
Rass Die Aufwachsrate ist von der Sub- 
strattemperatur, der Quellen- 
temperatur und den Vakuumbedingungen 
AT re abhängig. 
Für die Herstellung der untersuchten 
: {Te Furnace PbTe-Schichten wurde die Substrat- 
i temperatur zwischen 270 - 420°C 
aften . variiert, während die Temperatur 
® Thermocouple der "Wall" mit 560°C und die der 
hs- Quelle mit 530°C konstant gehalten 
ieden Abb. 2: Aufdampfanlage wurde. Um ein Kondensieren des 
nter- PbTe-Dampfes im Bereich der unbe- 
stückten Te-Quelle zu verhindern, wurde diese bei einer Temperatur 
von 450°C gehalten. 
Die Größe der bedampften Fldche ist durch die kreisfdrmige Öffnung 
in im Substrathalter (Maske) begrenzt, Abb. 3. Im Bereich des Masken- 
randes nimmt die Schichtdicke nahezu keilförmig bis zur Substrat- 
111- oberflédche ab. Die Warmeabfuhr durch den Substrathalter fiihrt wdhrend 
yetrat- des Aufwachsens zur Einstellung eines Temperaturcradienten im BaF, . 
wurden In der Ndhe des Maskenrandes ist der Temperaturgradient am größten, 
ı der dies führt zu einer erhöhten Keimbildungswahrscheinlichkeit. 
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