Der Maskenrand bewirkt aber eine dus 
Verringerung der Aufwachsrate, was we) 
zur Ausbildung der keilförmicen tic 
Schichtränder führt. Wer 
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Abb. 3: Substrathalter de: 
Wie 
KEIMBILDUNG UND WACHSTUMSMODELLE bev 
Das Aufwachsen eines diinnen Filmes auf einem Substrat bei der Ab- Spa 
scheidung aus der Gasphase wird durch die Keimbildung und das Wachs- set 
tum bestimmt. Dieses Filmwachstum ist ein komplizierter kinetischer Das 
Vorgang, der von folgenden Parametern beeinflußt wird: tun 
- Substrattemperatur, physikalische und chemische Eigenschaften 
der Substratoberfldche 
- Gaszusammensetzung 
- Einfallsrate und Teilchenenergie 
- Geometrie des Aufbaues. 
Abb. 4 zeigt in einem Schema das einfache Modell des Kondensations- 
vorganges für ein einatomiges Gas. 
. . Die Gasteilchen treffen mit 
Silene ini einer definierten Einfalls- 
| 1 ey 1 rate auf eine kontaminations- 
freie, einkristalline Sub- 
stratoberflidche auf, deren 
i De kritische Temperatur so hoch sein muß, 
Qn OFC VEC el | daß epitaktisches Wachstum 
DE a De möglich wird>. Das auf der 
Substrat Oberfläche auftreffende Gas- 
Abb. 4: Modell des Kondensations- atom kann mit einem von der Das 
WE SET ein ein- Substratoberfläche abhängigen wen 
Diffusionskoeffizienten über Sub 
die Oberfläche wandern. Ob dieser Diffusionskoeffizient anisotrop ist, Ein 
hängt von der Kristallsymmetrie der Oberfläche ab. Gleichzeitig (St 
kann aber ein Wiederverdampfen der Teilchen auftreten. Dies wird die 
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