ra durch die mittlere Verweildauer des Einzelatoms beschrieben. Die Ver- 
was weildauer ist von der Sprungfrequenz, der Temperatur und der Adsorp- 
> tionsenergie abhängig. 
Wenn die Einzelatome miteinander eine Bindung eingehen kann es zur 
Bildung von metastabilen Clustern kommen, die beim Erreichen einer 
kritischen Größe als Keim für das weitere Wachstum wirken. Nach Unter- 
suchungen von METOIS et aL.’ können Keime - um eine optimale Gitter- 
anpassung zu erreichen - durch Translations- und Rotationsbewegungen 
über die Oberfläche wandern. Alle anceführten Keimbildungsprozesse 
sind nur auf ein ideales Substrat anzuwenden, d.h. an allen Punkten 
der Oberfläche liegen dieselben energetischen Verhältnisse vor. 
Wie zahlreiche Untersuchungen zeigten, tritt die Keimbildung aber 
bevorzugt an Defekten’’ 8" %der Substratoberfldche auf, wie z.B. an 
Spaltstufen oder an aus dem Substrat herausgewachsenen Schraubenver- 
hs- setzungen. 
er Das Wachstum dieser dünnen Filme kann mit Hilfe verschiedener Wachs- 
tumsmodelle dargestellt werden, Abb. 5. 
ften 
LS LC AF 
zZ BA 
LZ = 2 G7 
ut 
S- , 13 
.ons-— ATE / 
> De : f 
an Insel-Wachstum Insel-Wachstum Schichten-Wachstum Senkrechtes Haften 
auf vorherigem 
wf, Schichten-Wachstum 
1m 
ler Abb. 5: Wachstumsmodelle 
3as- 
ler Das Inselwachstum Abb. 5a (Volmer-Weber-Wachstum) tritt dann auf, 
7igen wenn die kondensierende Materie an sich selbst stärker haftet als am 
iber Substrat. Dies ist zum Beispiel fiir Metalle auf Isolatoren der Fall. 
> ist, Ein Inselwachstum nach vorangecangenem Schichten-Wachstum, Abb. 5b, 
(Stranski-Krastanov-Wachstum) ist dann möglich, wenn die Schichten 
die Erinnerung an das Substrat verlieren und die Eigenschaften der 
267