kondensierenden Substanz annehmen. Lat 
Reines Schichtenwachstum, Abb. 5c, (Frank-van-de-llerwe-Wachstum) ist tor 
zu erwarten, wenn die Bindungsenergie zwischen Material und Substrat möc 
sehr groß ist im Verhältnis zur Bindungsenergie der Gasteilchen unter- Ste 
einander. Im Fall der Homeoepitaxie,wenn Substrat und aufwachsendes Die 
Material gleich sind, wird dieses Wachstum häufig beobachtet. auf 
Der Fall des senkrechten Haftens wird nur dann auftreten, wenn be- die 
dingt durch eine zu geringe Substrattemperatur die Oberfldchen- Ver 
diffusion verhindert wird. Lic 
Pb1 
MORPHOLOGIE DER PbTe-SCHICHTEN die 
Um den EinfluBf der Substrattemperatur auf die Ausbildung der PbTe- p 
0) 
Schicht festzustellen, wurden die bei unterschiedlichen Substrat- 
temperaturen aufgewachsenen Schichten im Rasterelektronenmikroskop Die 
(REM) und mit ROntgenfeinstrukturverfahren untersucht. Abk 
Zur Bestimmung der Orientierung und der kristallinen Qualität der sel 
PbTe-Schichten wurden Laue-Aufnahmen im Rückstrahlbereich und sc} 
Röntgen-Diffraktometer-Aufnahmen herangezogen. Die beiden zur Fein- 
strukturuntersuchung verwendeten Beugungsverfahren haben den Vor- 
teil, daß sie rasch durchzuführen sind und damit zur laufenden 
Qualitätskontrolle der hergestellten Schichten verwendet werden können. 
Teilweise konnte bei polykristallinen Proben auf eine Überpüfung durch 
. Mo-Ke 
BaF; (888) PbTe (888) 
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Abb. 6: Laue-Aufnahme, Abb. 7: Diffraktometer-Aufnahme eines So 
Beugungsreflexe für eine (888)-PbTe-Reflexes und eines (888)- kar 
einkristalline PbTe- BaF„-Reflexes. 
Schicht auf einkristal- Sch 
linem BaF,. Al 
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