Full text: Fortschritte in der Metallographie

Laue-Aufnahmen verzichtet werden, da durch die ausgeprägte Oberflächen- 
ist topographie bereits eine beträchtliche Abnahme des Reflexionsver- 
at mögens gegenüber einkristallinen Proben mit dem freien Auge festzu- 
ter- stellen war. 
5 Die Anordnung der Beuguncsreflexe für eine einkristalline PbTe-Schicht 
auf einem BaF,-Substrat ist in Abb. 6 wiedercegeben. Deutlich ist hier 
die Symmetrie des PbTe- sowie des BaF,-Einkristalles zu erkennen. Der 
Vergleich der Halbwertsbreiten des (888)-PbTe-Reflexes unterschied- 
licher Schichten sowie das Verhdltnis der Halbwertsbreiten des (888)- 
PbTe-Reflexes zum (888)—-Reflex des BaF, ermöglichen eine Aussage liber 
die kristalline Qualität der Schicht, Abb. 7. 
Polykristalline Proben 
Die Oberflächenaufnahme einer polykristallinen Probe ist in den 
Abb. 8 und Abb. 9 wiedergegeben. Aus den REM-Aufnahmen ist zu er- 
sehen, daß die Schichtoberfläche aus zahlreichen Kristalliten unter- 
schiedlichster Orientierung aufgebaut ist. 
Die Laue-Aufnahme dieser Schicht, Abb. 10, 
zeigt, daß neben den Beugungsreflexen des 
einkristallinen BaF„-Substrates zwei Beu- 
innen. gungsringe (Pfeil) auftreten, die sich aus 
lurch den Einzelreflexen des polykristallinen 
PbTe zusammensetzen. 
Die geringe Substrattemperatur von 270 bis 
290°C führt zu einer starken Einschränkung 
der Oberflächendiffusion, so daß die 
Diffusionswece der auf die Substratober- 
Abb. 10: Polykristalline fläche auftreffenden PbTe-Moleküle!© sehr 
„oTe Schicht Bar». Sub- klein sind. Es scheint hier ein Fall des 
strat. senkrechten Haftens vorzuliegen (s.Abb. 5d) 
Die Ausbildung des Schichtrandes ist bei der maximal möglichen Auflö- 
sung des verwendeten REM (JEOL 50A) in den Abb.11 u. Abb.12 dargestellt. 
Die einzelnen Kristallite (Abb. 11) wachsen ohne Orientierungsbe- 
ziehung zum Substrat auf. Abb. 12 zeigt den Bereich in einer größeren 
Entfernung vom Schichtrand. Bedingt durch den Abschattungseffekt 
des Maskenrandes wird in diesem Bereich die Aufdampfrate geringer, 
ae so daß an diesen Stellen der Aufwachsmechanismus untersucht werden 
kann. In größerer Entfernung vom Maskenrand (Abb. 12) nimmt die 
Schichtdicke und die Oberfldchenbelegunc zu. 
Alle untersuchten Schichten ,bei welchen die Substrattemperaturen 
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