wachsen die Kristallite in Form einer dreiseiticen Pyramide epitak- 
tisch auf, wobei die Basisfliche einer (111)-Ebene entspricht. Die 
Substrattemperatur bei fehlorientierten Proben lag zwischen 290 und 
320°C 
Abb. 16: RuBerster Schichtrand Abb. 17: Detail aus Abb. 16 
eingr fehlorientierten PbTe-Probe 
(45° gekippt) 
Einkristalline .Proben 
Abb. 19 zeigt die Laue-Aufnahme einer 
einkristallinen PbTe-Schicht, die 
keinerlei Fehlorientierung mehr auf- 
weist und wo auch die Diffraktometer- 
Aufnahme hohe kristalline Qualität 
der Schicht ergab. Bei der raster- 
elektronenmikroskopischen Unter- 
suchung der Schichtoberfläche konnten 
selbst bei maximaler Vergrößerung im 
gekippten Zustand keine Oberflächen- 
strukturen mehr festgestellt werden. 
Die durchgeführten Untersuchungen 
zeigen, daß erst ab einer Substrat- 
Abb. 19: Laue-Aufnahme einer temperatur von 340°C mit einem ein- 
einkristallinen PbTe-Schicht kristallinen ungestdrten Schicht- 
wachstum zu rechnen ist. Ob mÖög- 
licherweise nicht doch eine erkennbare Oberflächentopographie vorliegt, 
muß noch durch zusätzliche TEM-Untersuchungen geklärt werden. 
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