im Gegensatz zu den beiden vorigen Versuchen ein stärkerer Hauptstamm
auftritt, an welchem schwächer ausgebildete Nebenäste häufig
an symmetrisch ankristallisieren. Eine bevorzugte Winkelbeziehung
zwischen den einzelnen Wachstumsrichtungen kann hier nicht angegeben
- werden.
uch ; : : Oo
n Erstarrung mit mittlerem Temperaturgradienten (4,2°C/mm) und
sen; 0,2 mm/min Absenkgeschwindigkeit
nkel Werden die Erstarrungsbedingungen dahingehend geändert, daß einer-
seits der Gradient auf rund die Hälfte (von 8° auf 4, 2°C /mm) ver-
kleinert und andererseits die Absenkgeschwindigkeit und damit die
Erstarrungsgeschwindigkeit um den Faktor 10 erhöht Wird, so muß dies
hgen einmal eine größere Aufweitung der Erstarrungsfront und zum anderen
eine feinere Gefügeausbildung zur Folge haben. Dies wird durch den
Längsschliff einer unveredelten Probe in Abb. 11 bestätigt. Eine Aus-
pa richtung des Si in WdrmefluBrichtung ist nicht mehr gegeben, der Ein-
NT fluß der durch das Kristallsystem vorgegebenen Wachstumsrichtungen
überwiegt. Die Erstarrungsfront weitet sich auf und einzelne Si-
E= Kristalle eilen lokal vor,an die in weiterer Folge das Al ankristal-
llits lisjert. Dies erfolgt in der Form, daß es trdpfchenfdrmig an das Si
Brig anwédchst. Auch die eutektischen Zellen kristallisieren in derselben
ait Weise, sodaB letztendlich die Kristallisation zwar vertikal vor sich
Jez geht, ein Großteil des fest-flüssig-Überganges jedoch durch horizontales
Ese Zusammenwachsen erfolgt. Abb. 12 zeigt eine REM-Aufnahme einer tief-
Sn geätzten Probenstelle, durch welche der beschriebene Mechanismus
im der Si-Kristallisation und nachfolgenden Al-Ankristallisation deut-
5 lich wird. Links und rechts am Bildrand ist das Si-Skelett der Rest-
ine schmelze nach Abschrecken der Probe zu sehen, die tröpfchenförmige
Ankristallisation des Al ist deutlich erkennbar. An jenen Stellen,
3 bis wo die Restschmelze bis an das kontrolliert gewachsene Si heranreicht,
auf- ist der Si-Kristallit durch den noch laufenden Dickenwachstunsprozef
! stärker ausgebildet. Die Oberfläche zeigt Stufen, die parallel über
den gewunden erscheinenden Kristall laufen.
Das Si in der Na-veredelten Probe erscheint sehr verzweigt (Abb. 13)
‘ und zerklüftet, die Oberfläche ist stark aufgeraut; Kanten und
vie andere Oberflächenstrukturen treten in keinen erkennbaren geo-
metrischen Beziehungen zueinander auf. Bei den gewählten Erstarrungs-
bedingungen ist weder bei der mit Na (Abb. 14) noch mit Strontium
(Abb. 15) versetzten Probe im kontrolliert erstarrten Bereich
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