KONTRASTIERVERFAHREN ZUR PHASENTRENNUNG 
IM RASTERELEKTRONENMIKROSKOP 
J. Paul und B. Bauer 
Max-Planck-Institut fiir Metallforschung 
Institut flir Werkstoffwissenschaften 
SeestraBe 92, 7000 Stuttgart 1, BRD 
Einleitung 
Die qualitative und vor allem die quantitative metallographische Unter- 
suchung feiner Gefligebestandteile an ebenen Schliffflichen wird durch 
die Auflbsungsgrenze im Lichtmikroskop eingeschränkt. Dagegen bieten 
die Rückstreuelektronen im Rasterelektronenmikroskop (REM) je nach 
Primédrenergie und Material Aufldsungs- und Kontrasteicenschaften zur 
Abbildung und Vermessung von Teilchen zwischen 5 und 0,1 pm Ausdehnung. 
Die Abbildung der Probenoberfliche mit Riickstreuelektronen ist jedoch 
dann nicht mehr sinnvoll, wenn entweder zu geringe Ordnungszahlunter- 
schiede der beteiligten Phasen keinen ausreichenden Kontrast liefern 
oder wenn Teilchen in der Größenordnung des Aufl8sungsvermdgens noch 
vermessen werden sollen. Derartige Probleme traten bei der Untersuchung 
veredelter Al-12% Si GuBlegierungen auf: Charakteristisch ist einmal 
der geringe Ordnungszahlunterschied zwischen Aluminium und Silizium 
von AZ = 1 sowie die sehr feinen Siliziumkristalle in den eutektisch 
erstarrten Zonen. Dadurch waren die üblichen licht- und elektronenopti- 
schen Methoden zur quantitativen Untersuchung der Proben nicht geeignet. 
Im folgenden werden Methoden zur Kontrast- und Auflösungsverbesserung 
im REM beschrieben. Diese sollen zunächst anhand von Proben mit gröbe- 
rem Gefüge veranschaulicht und erst am Ende der Arbeit auf die fein- 
verteilten Siliziumkristalle angewandt werden. 
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