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Be- 
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E,=30 keV 
HSS 054 Normal Incidence 
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Abb. 2: Rickstreuelektronen-Ausbeute n in Abhängigkeit von der 
Ordnungszahl Z des abgebildeten Materials /2/. 
Zur Kontraststeigerung bei Verwendung von Rückstreuelektronen bietet 
Sich in Anlehnung an Abb. 2 das selektive Aufbringen einer dünnen 
Schicht mit höherer Ordnungszahl auf die zu untersuchende Phase an. 
Eine Probe, an der ein für die Lichtmikroskopie entwickeltes Ver- 
fahren der Farbätzung /3,4,5/ fiir die Rasterelektronenmikroskopie an- 
gewandt wurde, zeigt die Abb. 3. Bei gleichen elektronenoptischen Be- 
dingungen wie in Abb. 1 zeigt diese Aufnahme deutlich die Kontraststei- 
gerung. Hierbei wird durch Eintauchen der geschliffenen und polierten 
Probe chemisch selektiv eine MoO„-Schicht auf die Siliziumphase aufge- 
bracht, wodurch direkt an der Oberfläche die gewünschte Erhöhung des 
Ordnungszahlunterschieds zwischen den Aluminium- und den Siliziumberei- 
chen erreicht wird. Die Siliziumphase erscheint jetzt deutlich heller 
„Le als die Aluminiumphase ähnlich den Fe-, Cu- und Ni-haltigen hellen 
intermetallischen Phasen. Geätzt wurde hier mit dem Malleteschen Ätz- 
mittel /6/, einer Mischung von 400 ml Athanol und 20 ml einer Lösung 
von 50 ml H,0, 50 ml HNO 5 und 7,5 g Ammoniummolybdat. Die Atzdauer be- 
trug ca. 15 s, wobei die Probe frisch poliert sein sollte, um einen 
gleichmäßigen Niederschlag zu erreichen. Dieses Verfahren der Farbät- 
zung läßt sich mit Sicherheit auch auf andere Legierungen anwenden, 
bei denen der Ordnungszahlunterschied der zu unterscheidenden Phasen 
Te —- 
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