zu gering ist. Im Unterschied zur lichtoptischen Anwendung diirfen die 
aufgebrachten Schichten für die Rastermikroskopie nur einige 10 nm 
dick sein, damit keine Geometrieverfälschungen durch Reliefbildung 
entstehen. Dies läßt sich durch die angegebene Konzentration und Ätz- 
dauer erreichen. 
Abb. 
Neben 
Abb, 3: Kontraststeigerung durch Farbdtzung im Riickstreuelektronen- des 5 
Bild bei gleichen elektronenoptischen Bedingungen wie in unter 
Abb. 1. ober£ 
zeigt 
standı 
Auflösung: Die Auflösung der rastermikroskopischen Abbildung mit Rück- sehen 
streuelektronen ist im allgemeinen nicht durch die Elektronensonde, da da 
sondern durch das birnenförmige Streuvolumen im Festkörper definiert. wegen 
Eine Abschätzung der lateralen Scheibe, aus der die rückgestreuten tion | 
Elektronen den Festkörper verlassen, ergibt für Silizium und Aluminium ten ai 
einen Radius von 1,5 um und fiir Molybd&noxid 0,5 um /7/. Wir können tallo« 
daher für die selektiv beschichtete Probe zusätzlich zur Kontrast- Gefüg- 
steigerung eine Auflösungsverbesserung etwa um den Faktor 3 erwarten. Für d: 
In der Abb. 4 finden wir dies bei einer REM-Vergrößerung von 5400-fach piell 
bestätigt. gehen 
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