Prakt. Met. Sonderband 41 (2009) 165
Abbildung 2: Gefligecharakterisierung von Si;N,: Lichtmikroskopie (plasmageitzt): Auflicht GPSN oben links, Durch-
licht oben rechts REM-Aufnahme (überätzt in NaOH-Schmelze) unten links, TEM-Aufnahme GPSN mit YSIALON-
Korngrenzphase unten rechts.
Drucklos gesintertes Siliciumcarbid
Drucklos gesintertes Siliciumcarbid (SSIC) wird aus gemahlenem SiC-Feinstpulver hergestellt,
das mit Sinteradditiven versetzt, in den keramiküblichen Formgebungsvarianten verarbeitet und bei
2.000 bis 2.200 °C unter Schutzgas gesintert wird. Neben feinkörnigen Varianten mit Korngrößen <
; ; 5 um sind auch grobkörnige mit Korngrößen bis 1,5 mm erhältlich. SSIC zeichnet sich durch hohe
n links, Durchlicht . . A . .
ne Randzone mit Festigkeit aus, die bis zu sehr hohen Temperaturen (ca. 2000 °C) nahezu konstant bleibt. Dieser
Werkstoff weist eine extrem hohe Korrosionsbeständigkeit gegenüber sauren und basischen Medien
auf, denen er ebenfalls bis zu sehr hohen Temperaturen standhalten kann. Diese in der Gruppe der
Hochtemperaturkeramiken herausragenden Eigenschaften werden durch eine hohe Temperatur-
wechselbeständigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Verschleißbeständigkeit und eine diamant-
1 bei einem N»- ähnliche Härte ergänzt.
ff für hohe me-
Siliciumnitrid- Das Gefüge im Auflicht—, Durchlicht— und Transmissionselektronenmikroskop in Abb. 3 zeigt ein
tten), die Wélz- grobes stängeliges Gefüge des SSiC. Für die Gefligedarstellung im REM wurde die Probe in modi-
ie die Umform- fizierter Murakami-Lösung geätzt. Im Durchlicht lässt sich aufgrund der gleichen Färbung die glei-
che Orientierung der Kristallite feststellen. Die REM-Aufnahme zeigt ein feinkörniges SiC im
Bruchbild. Die Glasphase blieb zum Teil noch an den Korngrenzen stehen.
n zeigt deutlich
JaOH-Schmelze
gasdruckgesin-
