192 Prakt. Met. Sonderband 41 (2009) 
Bild 4 zeigt einen außergewöhnlich dramatischen Fall von lokaler Aufschmelzung, der durch SiC Es is 
während des Probenaufschlusses in einem Zementwerk verursacht wurde. In diesem Fall wurde der zum 
Tiegel in einer Induktionsspule erwärmt. Spuren von SiC waren am Rand des Tiegels vorhanden. Mat 
Als dieser Teil des Tiegels dem Schmelzpunkt des Pt-Pt;Si-Eutektikums ausgesetzt war (830°C), verh 
begann das Platin zu schmelzen. Ein großer Tropfen des geschmolzenen Pt-Si-Eutektikums, der kom 
noch Partikel von unreagiertem SiC enthielt, lief an der Innenseite des Tiegels herunter und setzte 
das Aufschmelzen des Platins während des Absinkens fort. Als der geschmolzene Tropfen die 3.3‘ 
Oberfläche des Aufschlusses erreichte, lief er etwas auseinander und das SiC griff einen größeren 
Bereich der inneren Oberfläche des Tiegels an (Bild 4, rechts). Dennoch war der Silizium-Gehalt Wäh 
des Platins ausreichend, um den Schmelzprozess fortzusetzen, bis der Boden des Tiegels erreicht Vers 
war. Die metallographische Untersuchung des Bodens zeigte SiC-Partikel im wiedererstarrten der ) 
Platin. erwa 
einet 
liegt 
„Plat 
empi 
Schv 
sehr 
Bild 4: Lokale Aufschmelzung eines Pt-Tiegels 
3.2 Kohlenstoff 
Neben seinem Einfluss bei der Reduktion von Oxiden der „Platin-Gifte“ kann Kohlenstoff selbst Bild ¢ 
besonders schädlich auf die strukturelle Integrität von Platin wirken. Bild 5 zeigt einen Platin-Draht, 4 
der Kohlenstoff bei erhöhten Temperaturen ausgesetzt war. Der in die Korngrenzen diffundierte / 
Kohlenstoff führt zur Trennung der Korngrenzen und zu Porosität. Die Mechanismen dieses 
Prozesses sind noch nicht völlig verstanden, aber die Wirkung ist ebenso an Platin-Katalysatoren 
heobachtet worden, die kohlenwasserstoffhaltigen Atmosphären ausgesetzt waren. 
100 
Bild 7 
Rhod 
Bild 5: Zerstörung von Platin entlang der Korngrenzen verursacht durch Kohlenstoffverunreinigungen Schw