78 Prakt. Met. Sonderband 41 (2009) 
3.3 Ionen 
Für die Be 
Strukturen ] 
dass die Sct 
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Bild 5: Priparationsbedingte Ausbriiche den Kanten von Silizumstrukturen an Schrumpfspalten des Einbettmittels. 
Die Wahl ds 
Zum Vorschleifen bis in die Ndhe der interessierenden Bereiche haben sich neben Nassschleif- lung und de 
papieren der Körnung 1200 auch Diamantschleifffolien bewährt. Nach dem Schleifen mit den Kör- Rasterelektr 
nungen 6pm und 3pm kann abschlieBend mit der 1pm Diamantfolie eine fiir geometrische Vermes- charakterisi 
sungsaufgaben ausreichende Schliffqualitiit erzielt werden. Sollen Schichtanordnungen oder Gefii- Spiegelplatt 
geeigenschaften bestimmt werden, genügt bei geringem Anpressdruck eine anschließende Politur für die Cha 
mit % um Diamantsuspension und 1 Minute Polierzeit mit weichem Tuch auf einer Rotationspo- erforderlich 
liermaschine. 
Sehr dünne Beschichtungen oder Strukturen mit einer lateralen Auflösung kleiner 0,5 um sind im 
lichtmikroskopischen Bild (Bild 6 links) nicht mehr eindeutig darstellbar. In diesem Fall kommen 
dann hochauflösende mikroskopische Abbildungsverfahren zum Einsatz (Bild 6 rechts). 4 FIB- 
. Die FIB-Te: 
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Schnitttiefer 
Bild 7 abge 
Technik bis 
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1000 2000 3000 4000 
Bild 6: Links: Metallographischer Schliff durch eine typische Si- MEMS-Struktur mit Kaverenenbildung am Boden zur j 
Herstellung frei beweglicher Strukturen. Rechts: AFM-Abbildung der im Lichtmikroskop nicht mehr auflösbaren oH 
200nm dicken Metallbeschichtung an der Unterseite der freibeweglichen Strukturen. . 
Bild 7: FIB-S« 
tensensors.