Als Beispiel zeigt Abb. 1 die Prinzipskizze eines Transistors (MESFET). 
Bei der Entwicklung dieser Bauelemente stellt sich der Komplex der Kontaktierung als ein 
besonderer Schwerpunkt dar, denn die Funktion und Zuverlässigkeit der elektrischen Kontakte 
haben entscheidenden Einfluß auf die Leistung und die Lebensdauer der Bauelemente und 
Schaltungen. An die Kontaktierung werden z.B. folgende Anforderungen gestellt: 
- möglichst niedriger ohmscher Widerstand 
gute Kontaktierbarkeit (Bonden, Kleben, Löten, Schweißen) 
- Übertragung hoher Ströme 
- geringe Beeinflussung der inneren Struktur des Bauelementes 
- Widerstandsfähigkeit gegen aggressive Medien, mechanische Belastungen, 
hohe Temperaturen und diese Einflüsse im Wechsel und in Kombination 
gute Wärmeableitung 
2343 
n GaAs(10 m ) DEPLETION 
SOURCE OV CATE Iv DRAIN *5V 
= =~ 
Eu m e 
BUFFER LAYER 
TET cw INSULATING 
[ SUBSTRATE 
0 tum 
Abb. 1: Skizze eines Metal-Semiconductor Field Effect Transistors (MESFET) 
Die Entwicklung dieser Kontakte hat im Laufe der Zeit zu komplizierten Schichtsystemen 
geführt, die an das jeweilige Halbleitermaterial und den Bauelementetyp angepaßt werden 
miissen. 
Zu der die Entwicklung begleitenden Analytik gehören auch Untersuchungen mit Hilfe der 
Transmissionselektronenmikroskopie (TEM). Folgende Problemstellung wurde vorgegeben: 
- Ermittlung der Dicken von Einzelschichten 
- Untersuchung der Morphologie von Grenzflächen 
- Klärung von Art und Anordnung der kristallinen und amorphen Phasen 
- Bestimmung der chemische Zusammensetzung einzelner Bereiche 
340 Prakt. Met. Sonderbd. 26 (1995)