Das allgemeine Kontaktsystem 
als ein Die Aufbringung des Kontaktsystems ist Teil des komplexen technologischen Prozesses zur 
ontakte Bauelementeherstellung. Die Beschichtung mit Metallen erfolgt mittels Elektronenstrahl- 
ite und verdampfung, höherschmelzende Materialien werden aufgesputtert. Anschließend erfolgt hier 
eine Formierung bei 400°C, 30 s. Dabei laufen Diffusionsprozesse und chemische Reaktionen 
der einzelnen Komponenten ab, in deren Folge eine Phasenbildung stattfindet, die den 
gewünschten elektrischen Kontakt der Metallschichten zum Halbleitermaterial herstellt. Um 
einen guten ohmschen Kontakt zu erreichen, muß die Diffusion der Einzelkomponenten und die 
Phasenbildung gesteuert und kontrolliert werden, denn unkontrollierte Diffusion kann zur 
Zerstörung der inneren Epitaxiestrukturen und zu Kurzschlüssen benachbarter Leiterbahnen 
führen. Im FBH werden auf GaAs-Halbleiterbauelementen die nachfolgend beschriebenen 
Schichtsysteme verwendet. 
Auf dem Halbleitermaterial (GaAs) werden in der Folge zuerst 100 nm AuGe, dann 28 nm Ni 
und als Abschluß 100 nm Au aufgedampft. Die Gold-Deckschicht hat die Aufgabe, den Kontakt 
nach außen inert abzudecken und eine gute Grundlage zur Kontaktierung (Bonden, Löten...) zu 
bilden. Die AuGe-Schicht stellt die eigentliche Diffusionsschicht dar. AuGaNi-Phasen bilden 
nach der Formierung den ohmschen Kontakt. Die Ni-Zwischenschicht verhindert bei der 
Formierung laterales Aufschmelzen des AuGe, dessen Schmelztemperatur unterhalb der For- 
mierungstemperatur liegt und sorgt damit für eine glatte Oberfläche des Kontaktes, Die Abb. 2 
zeigt die TEM-Aufnahme eines Standardschichtsystems vor der Formierung. Zu erkennen ist die 
kristalline Au-Schicht mit der Ausbildung von Korngrenzen und Zwillingen. 
'stemen EA 
werden 
ilfe der —Ni 
egeben: 
— AuGe 
Abb. 2: TEM-Autnahme eines ohmschen Kontaktes vor der Formierung 
Prakt. Met. Sonderbd. 26 (1995) 341