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Bild 5: Schrägschliff 1. Polarisiertes Licht 
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Bild 6: Schrägschliff 2. Hellfeld, ungeätzt Bil 
Am Rand der Emitter-Bondstelle ist in der vergrößerten Darstellung des Schrägschliffs 2 (Bild 7) und 
rechts und auch links eine durch die Präparation aufgerauht erscheinende Aluminiumschicht ; 
angeordnet. Sie findet sich auch rechts von der Basis-Bondstelle und enthält laut EDX-Analyse Bei 
Phosphor (Bild 7, "dotiertes Al"). Unter der Basis-Bondstelle und links von der Emitter-Bondstelle run 
liegt auf dem Silicitum-Chip eine SiO2-Schicht. Die SiO,-Schichten stehen entweder mit den dot 
kleeblattartigen oder mit den quadratisch ausgebildeten SiO,-Bahnen auf der Chip-Oberfläche (Bild 4 tier 
und Bild 5) in Verbindung. Eine Schicht aus reinem Aluminium befindet sich zwischen dem sch 
aufgebondeten Aluminiumdraht des Emitters und dem Silicium.