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Bild 7: Ausschnitt aus Schrägschliff 2. Hellfeld, ungeätzt 
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Bild 8: Schrägschliff 2. Hellfeld, geätzt 
Um die Funktionselemente des untersuchten npn-Transistors noch besser zu erfassen, mußte das 
Silicium angeätzt werden (siehe Tabelle 1). Das Ergebnis ist in Bild 8 des Schrägschliffs 2 bei gerin- 
gerer Vergrößerung wiedergegeben. Der Stahlteil des Sockels wird dabei sehr stark angegriffen. Die 
Nickelschicht, die die Verbindung zur hier nicht sichtbaren Goldlotschicht herstellt, und die nach 
unten angrenzende Diffusionszone zwischen dem Chip und dem Stahl erscheinen hell. Die unter- 
schiedliche Anätzung des Silicium-Chips wird durch die Dotierungen des Siliciums hervorgerufen. In 
Bild 8 ist in der vorliegenden Vergrößerung der obere Teil des Chips hell ("dotiertes Si") und der 
id 7) untere ("undotiertes Si") grau getönt. 
hicht ! 
alyse Bei der höheren Vergrößerung des angeätzten Schrägschliffs 2 (Bild 9) sind Einzelheiten der Dotie- 
stelle rung zu erkennen. Unterhalb der Emitter-Bondstelle und der Schicht aus Reinaluminum liegt eine n- 
den dotierte Schicht, die hier dunkler getönt ist. Wieder unter dieser n-dotierten Schicht liegt eine p-do- 
ild 4 tierte Lage, die mit der Aluminiumschicht der Basis-Bondstelle links Kontakt hat. Diese Aluminium- 
dem schicht enthält Phosphor, wie die durchgeführte EDX-Analyse und Bild 7 zeigen.