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Bild 9: Ausschnitt aus Schrägschliff 2. Hellfeld, geätzt 
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Bild 10: Übergang zwischen Si-Chip und Stahlgehäuse. ZB8 
Hellfeld, Pt/O, kontrastiert 
In Bild 10 ist in einem Querschliff senkrecht zur Ebene Silicium-Chip/Stahlgehäuse ein Ausschnitt 
dieses Übergangs wiedergegeben. Zur Sichtbarmachung der Gefügedetails wurde der polierte Schliff 
durch reaktives Sputtern mit Pt/O, kontrastiert. Der Silicium-Chip ist über eine hell erscheinende 
Goldlotschicht mit einer Nickelschicht (dunkel) verbunden, an die sich eine Diffusionszone (heller) 
zum Stahl hin anschließt. Wie Untersuchungen innerhalb des Gemeinschaftsversuchs zeigten, können 
am Übergang SY/Au/Ni Hohlräume und nicht abgebundene Bereiche auftreten, die aber 
wahrscheinlich für die Funktion des Bipolartransistors unerheblich sind. 
Generell wurden im Rundversuch keine Fehler an den Bipolartransistoren entdeckt.