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nm wurde die für die quantitative Elementanalyse erforderliche Ortsauflösung erreicht. Die Anteile 1 
wurden für die Elemente Kohlenstoff und Stickstoff qualitativ, für die weiteren Elemente im C 
standardlosen Verfahren quantitativ bestimmt und als Atomprozent oder als stöchiometrische : 
Zusammensetzung angegeben. 
Ergebnisse 
Die REM-Querschliffaufnahme in Bild 1 zeigt den Übergangsbereich zwischen Lot und SiC- E 
Keramik. Im oberen Teil ist das eutektische Gefüge der Lötnaht abgebildet. Deren zwei Hauptpha- 
sen enthalten jeweils Silber und Kupfer im Verhältnis von ca. 90:10 und ca. 5:95 in At.-%. Im 
Gegensatz zur Lötnaht ist der Aufbau der Übergangszone Lot / Keramik vom eingesetzten 
Keramikmaterial abhängig. Im Fall der Al‚O3-Keramik ist die Übergangszone nur teilweise ausge- 
bildet und zeigt einen inhomogenen Aufbau mit einer maximalen Dicke von 1 um. Dagegen werden 
bei Einsatz der SiC- und der Si3N;-Keramik kompakte Übergangszonen mit Dicken von ca. 4 um 
bzw. 2 um gebildet. Besonders am Beispiel der SiC-Keramik wird der mehrschichtige Aufbau der 
Übergangszone deutlich (Bild 1). Die zugehörigen EDXS-Elementverteilungen bestätigen das 
Vorhandensein mehrerer Reaktionsschichten. Besonders hervorzuheben ist das Vorkommen der 
Elemente Fe, Co und Ni des Stahls. Gemeinsam mit Si sind sie sowohl in der lotseitigen als auch in 
der keramikseitigen Reaktionsschicht enthalten. Titan ist in einer Zwischenschicht - vermutlich TiC 
- und in der lotseitigen Reaktionsschicht nachweisbar. Die keramikseitige Reaktionsschicht (ohne 
Ti-Anteil !) ist inhomogen aufgebaut. 
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Bild 1: REM-Querschliffaufnahme und zugehörige EDXS-Elementverteilungen Mu 
am Übergang Lot / SiC-Keramik WW 
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