eile Die bisher dargestellten Aussagen konnten durch die am Transmissionselektronenmikroskop 
ım durchgeführten Untersuchungen bestätigt und wesentlich ergänzt werden. Eine TEM- 
che Übersichtsaufnahme der Übergangszone Lot / SiC-Keramik ist in Bild 2 dargestellt. Der Proben- 
ausschnitt entspricht dem Übergang in Bild 1. Die Abbildung ist durch eine starke Schwankung der 
Präparatdicke, verursacht durch ungleichmäßigen Abtrag der verschiedenen Materialien beim 
Ionendünnen gekennzeichnet. Stellenweise sind Reaktionsschichten und Korngrenzen zu erkennen. 
. Die Untersuchung mehrerer Präparatstellen und die Zuhilfenahme der Röntgenmikroanalyse 
1C- ermöglichten, sämtliche Reaktionsschichten zu erkennen. In Bild 2 sind die morphologischen 
ha- Merkmale des Übergangs Lot / SiC-Keramik schematisch dargestellt. Es wurden insgesamt vier 
Im Reaktionsschichten festgestellt und mit R1 bis R4 bezeichnet. Die Schichten R1 und R2 waren bei 
ten den Untersuchungen im REM nicht getrennt wahrgenommen worden, da sich ihre chemischen 
BC- Zusammensetzungen nicht deutlich genug voneinander unterscheiden. 
den 
um 
der ; 
das 
der 
in 
TC R 1 
ıne 
R2 
R 3a 
R 3b 
R 4 
zn SM 
Bild 2: TEM-Aufnahme am Übergang Lot / SiC-Keramik und zugehörige schematische Dar- 
stellung zum Aufbau der Übergangszone 
Wie zu erwarten war, konnte eine der Reaktionsphasen als TiC identifiziert werden. TiC bildet die 
Schicht R3 mit einer Dicke bis 0,8 um. Sie ist zweigeteilt, in der ersten Hälfte (R3a) sind säulen- 
förmige Kristallite bevorzugt senkrecht zur Grenzfläche Lot / Keramik gewachsen (Länge bis 0,4 
um, Dicke bis 0,1 um). Die zweite Schichthälfte (R3b) enthält kleinere, globulare Kristallite (< 0,1 
um). An Polykristall-Elektronenbeugungsaufnahmen wurde die kubisch flächenzentrierte Gitter- 
struktur ermittelt. Die Gitterkonstante stimmte innerhalb der Fehlergrenzen des Verfahrens mit 
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