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Schichten haben dagegen einkristallinen Charakter und besitzen die gleiche Gitterorientierung wie 
das Grundmaterial. Die TEM-Aufnahmen zeigen außerdem im laserbeeinflußten Lochrandbereich die 
Existenz von Gitterstörungen in Form von Versetzungslinien. Die Versetzungsdichte nimmt vom 
Bohrlochrand zum Grundmaterial, das praktisch frei von Versetzungen ist, ab. Diese Beobachtungen 
legen nahe, daß das abgelagerte Material während des Bohrprozesses eine Umwandlung vom 
polykristallinen in den einkristallinen Zustand durchläuft und dabei epitaktisch an das Grundmaterial 
anwächst. Offensichtlich kommt es durch die wiederholte Wärmebeeinflussung zum teilweisen 
Ausheilen der Versetzungsanordnungen, die einerseits infolge plastischer Relaxation thermischer 
Spannungen und andererseits im Ergebnis der Umwandlung der Kristallstruktur (misfit dislocations) 
entstanden sind. 
Die Abb. 4 zeigt TEM-Aufnahmen des Lochrandbereiches aus den mittleren und unteren 
Lochabschnitten. Sie belegen im Einklang mit den Ergebnissen der REM-Untersuchungen der Loch- 
querschnitte, daß mit zunehmender Annäherung an den Lochgrund die Dicke der Materialab- 
lagerungen abnimmt. Besonders hervorzuheben ist jedoch der Befund, daß dabei auch die nachweis- 
baren Werkstoffschädigungen abnehmen. So findet man 40 um oberhalb des Lochgrundes bei einem 
lichten Lochdurchmesser von 15 um eine laserbeeinflußte Randzone von maximal 3 um Breite (Abb. 
4a). Risse treten nur vereinzelt innerhalb dieser schmalen Randzone auf. An manchen Löchern 
konnten keinerlei Hinweise auf eine Werkstoffbeeinflussung festgestellt werden. An Querschnitten, 
die etwa 10 um oberhalb des Bohrlochgrundes lagen, waren auch bei hohen Vergrößerungen im 
TEM keine Kristallschädigungen nachweisbar (Abb. 4b). Diese Beobachtungen führen zu der 
Schlußfolgerung, daß einzelne Laserpulse geringer Pulsenergie beim Bohren im Silizium noch keine 
Störungen hervorrufen. Zur Entstehung von Kristalldefekten und Rissen kommt es offenbar erst 
durch die Wiederanlagerung von abgetragenem Material beim Bohren mit vielen Pulsen 
1 um. 
um Bild 4a: TEM-Aufnahmen des Lochrandbereiches einer 
120 um tiefen Bohrung; Querschnittsebene 40 um 
über dem Lochgrund; I beim Ionendünnen abgelagerte 
Schicht; II polykristalline Ablagerungen; III gestörte 
Randzone mit Versetzungen; IV ungestörter Einkristall