Im dritten Beispiel handelt es sich um die Querschnittspräparation der aktiven Zone einer 
Laserdiode mit vergrabener Struktur (8). Hierbei ist eine äußere Strukturierung am Bauele- 
ment im Querschnitt nicht mehr vorhanden und das Motiv aufgrund seiner Abmessungen (2 
um x 5 um im Querschnitt) und seiner Brechzahlunterschiede der Materialien bei der 
metallographischen Vorpräparation lichtmikroskopisch nicht mehr aufzulösen. Eine 
Lokalisierung ist nur noch im REM möglich. Das Bild 6 zeigt in der REM-Aufnahme den 
Ausschnitt aus der TEM-Ronde mit der zielpräparierten aktiven Zone der Diode. 
Bild 6: Im REM präpariertes Mesa-Motiv für TEM-Untersuchungen 
SCH 
Bild 7: TEM-Bild der Böschung der Mesa einer RISAS-Struktur 
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