395 
Das Motiv befindet sich ca. 20 um neben dem Lochrand und kann mit einem 1 MeV-TEM 
ohne Probleme durchstrahlt werden. Der Abstand zum Lochrand läßt sich auch noch weiter 
verringern. Das Bild 7 zeigt die TEM-Aufnahme einer Böschungsseite aus dem aktiven 
Gebiet deren Form und Wechselwirkung mit den umgebenden Epitaxieschichten zu beurteilen 
war. Der Bereich ist frei von Entmischungen, Versetzungen oder anderen Störungen. 
Zusammenfassung 
An drei Beispielen aus der Metallurgie und der Halbleitertechnik wurde gezeigt, daß eine 
TEM-Zielpräparation an Motiven, die im um-Bereich liegen, nur dann mit vertretbaren 
Aufwand möglich ist, wenn der Prozeß der Ionendünnung bei höheren Vergrößerungen 
verfolgt werden kann. Die Nachrüstung eines REM mit einer Ionenstrahlquelle stellt dabei 
eine kostengünstige Variante dar. Durch die schnelle REM-Kontrolle kann die Durchführung 
langer Ätzreihen und die mehrfache Entnahme aus der Ionendünnanlage entfallen, wobei die 
Anwendung nicht auf die Zielpräparation beschränkt ist. Der Einsatz dieser Anlage kann auch 
für die Gefüge- und Strukturierungsätzung erfolgen. 
Wir danken Dr. M. Weyers für die kritische Durchsicht des Manuskrips. Die Arbeiten wurden 
teilweise gefördert durch das Bundesministerium für Wissenschaft, Bildung, Forschung und 
Technologie,(Projekt 13N6375). 
Literatur: 
(1) Benedict, J. P., Andersen, R.: A Procedure For Cross Sectioning Specific Semiconductor 
Devices For Both SEM and TEM Analysis, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 199, 1990 
(2) Klein, A.: Modifizierung eines REM zum lonenstrahlätzen in situ, Ferdinand-Braun- 
Institut für Höchstfrequenztechnik Berlin, Laborbericht, 12/1995 
(3) Klein, A., Urban, I.: MC 95 International Metallography Conference, 10-12 May 1995 
Colmar, France, Conf. Proc., Vol. 6359, 1996 
(4) Klein, A., Urban, I.: TEM-Zielpräparation an II-V-Halbleitermaterialien, Loten und 
Hartstoffschichten, 1. RES 010 Anwendertreffen, 29./30.April 1996, FAU Erlangen, Proc. 
(5) Romano, A., Vanhellemont, J.: A Fast And Precise Specimen Preparation Technique 
For TEM Investigation Of Presprecified Arcas Of Semiconductor Devices, Mat. Res. Soc. 
Symp. Proc. Vol 199, 1990 
(6) Pittroff, W.: Au-Sn Solder Bumps With Tungsten Silicide Bascd Barrier Mcetallization 
Schemes, Appl. Phys. Lett. 67 (16) October 1995 
(7) Klein, A., Pittroff, W., Urban, I.: Metallographic und Analytik an Au-Sn-Lotbumps, Fort- 
schritte in der Metallographie, Sonderbd. 27, 1995 
(8) Imafuji,O. et. al.: CW Single-Mode Triple-Quantum-Well Laser 
IEEE Journal Of Quantum Electronics, Vol 29, No. 6. June 93